微電子業 Archives

中國半導體設備國產化進入強制執行期：50% 門檻重塑產業格局

by Pierce on 8 一月, 2026 企業趨勢微電子業 ASML semiconductor 上海微電子中國半導體北方華創晶片製造

中國政府近日推出一項內部強制新規，要求晶片製造商在新建或擴建產能時，設備採購中國產比例不得低於 50%。這項被稱為「硬指標」的政策直接鎖定擴產審批環節，若申請未達標通常會被駁回，標誌中國半導體自主化已從市場引導，轉向政策強制的關鍵轉折點。路透社引述消息指，近月申請政府審批的晶圓廠企業均須出具設備採購證明，監管部門更表明 50% 僅是最低基線，長遠目標是實現晶圓和晶片製造設備全面國產化。

差異化執行策略：嚴控成熟製程與豁免先進製程

國產化要求採取「一事一議」靈活處理方式，對不同製程節點實施差異化標準。針對成熟製程晶片生產線（28 納米及以上），政策執行標準最嚴格，必須遵守 50% 門檻，當中對國產化率已較高的去膠設備（80-90%）和清洗設備（70%）要求更為嚴苛。相對而言，先進製程工藝生產線（14 納米以下）則獲得不同程度臨時豁免，主要因國產光刻機等關鍵設備仍存在技術代際差距。目前中國國產光刻機仍以乾式 ArF 和 KrF 型號為主，上海微電子最新型號已可實現解像度 ≤110 納米、套刻精度 ≤15 納米，但距離 ASML 浸沒式 DUV ArF 光刻機（單台均價 8,250 萬美元，約港幣 6.44 億元）和 EUV 光刻機仍有明顯差距。這種分層策略既確保政策強制推進，也避免過度衝擊先進製程產能擴張。

國產設備供應商迎機遇：訂單與技術雙重突破

政策驅動下，本土半導體設備廠商正經歷從「能用」向「好用」轉型。2025 年上半年國內半導體設備國產化率已達 35%，較去年同期提升 12 個百分點，預計全年將突破 50%。刻蝕設備領域方面，中微公司和北方華創已達到 5 納米工藝水平，獲台積電、長江存儲等頭部廠商採用。CMP 拋光設備供應商華海清科第三季營收淨利雙增長，市場佔有率不斷提高，隨著晶圓再生及濕法設備收入逐步放量，業務規模持續擴大。薄膜沉積設備廠商拓荊科技 2025 年前三季營收增速位居科創板半導體設備公司首位。最具標誌性事件是上海微電子於 2025 年 12 月成功中標科學技術部 1.1 億元人民幣（約港幣 1.19 億元）步進掃描式光刻機項目，型號為 SSC800/10，標誌國產高階半導體裝備在實際應用取得實質進展。數據顯示，2025 年以來國有背景的中國晶片製造商累計採購 421 台（套）國產光刻機及其零部件，總金額約 8.5 億元人民幣（約港幣 9.18 億元）。

全球供應鏈重構：ASML 業務調整與市場變化

這項政策對國際半導體設備巨頭形成結構性影響，尤其是光刻機龍頭 ASML。2023 年第三季中國市場佔 ASML 整體銷售額比重曾升至 46%，主因是中國晶圓廠正處於產能建設階段，對成熟製程需求殷切，對行業波動敏感度較低。ASML 全球高級副總裁、中國區總裁沈波預計，若按 2024 年中國市場業務規模估算，地緣政治因素可能對 2025 年業務造成 10-15% 影響。ASML 行政總裁早前曾警告，西方若施壓中國加速自研，未來恐遭「反向封鎖」，並認為美國允許 ASML 向中國銷售舊款光刻機，一定程度是為保證全球成熟晶片產能需求。從設備類別來看，ASML 2024 年全年出貨 52 台 KrF 步進掃描光刻機、65 台 i 線步進光刻機、28 台乾式 ArF 光刻機、129 台浸沒式 ArF 光刻機、44 台 EUV 光刻機。隨著 50% 國產化門檻強制執行，預計 ASML 在中國成熟製程市場份額將面臨國產設備直接替代壓力。

產業鏈協同效應：大基金投資與新產線量產

中國半導體自主化戰略正從政策、資金、技術三個維度形成協同推進機制。外媒披露，中國擬出台規模 2,000 億至 5,000 億元人民幣（約港幣 2,160 億至 5,400 億元）半導體行業專項扶持計劃，與現有國家集成電路產業投資基金（大基金）形成雙軌協同格局。重點投資方向包括 12 吋 CMP 設備、晶圓級混合鍵合設備等海外壟斷型核心裝備，以及高階光刻膠（KrF/ArF 級）、高純度石英材料等國產化率不足 20% 的短板領域。下游應用端也呈現強勁需求，長江存儲三期於 2025 年 9 月正式註冊成立，註冊資本高達 207.2 億元人民幣（約港幣 223.8 億元），明確提出 100% 使用國產半導體設備目標。AI 晶片領域突破同樣值得關注，螞蟻集團使用國產 GPU 訓練 AI 模型，結果顯示與使用 NVIDIA 晶片性能相當，且訓練成本降低 20%。這些實際應用案例驗證國產替代的技術可行性和經濟合理性，為 50% 國產化門檻執行提供堅實產業基礎。

企業戰略應對：平衡自主可控與全球競爭力

強制性國產化政策對半導體產業鏈各環節企業提出差異化戰略選擇。對本土設備廠商而言，政策紅利固然重要，但唯有技術準備充分才能真正勝出，國產化必須符合商業邏輯，即技術或配套實力優於進口，這樣才會有持續需求，單靠補貼和支持難以誕生優質企業。北方華創和中微公司正通過收購合併加速擴張業務線，北方華創已基本覆蓋除光刻機外的所有半導體前道製造設備，2025 年前三季營收 273.01 億元人民幣（約港幣 294.9 億元），同比增長 32.97%。晶圓製造企業在滿足 50% 國產化要求同時，亦需要在設備性能、良率穩定性和技術支援之間尋找最優平衡點。隨著成熟製程領域國產設備已具備與國際一流水平對標實力，這將為人工智能、新能源汽車、工業自動化等下游高階產業提供安全穩定的晶片保障。

資料來源：

德國之聲、路透社、國際電子商情、證券時報

企業趨勢微電子業業界消息資訊及通訊科技

TSMC 南京廠 VEU 授權遭撤：中國客戶仍可採購先進製程晶片

by Pierce on 31 十二月, 2025 企業趨勢微電子業業界消息資訊及通訊科技 Nanjing semiconductor tsmc VEU Xiaomi

美國政府於 2025 年 12 月 31 日正式撤銷 TSMC（台積電）南京晶圓廠的「驗證後最終用途」（VEU）授權，這意味著該廠未來每次進口美國製造設備，都需逐案申請許可。然而 TSMC 中國大陸業務區負責人羅鎮球在 2025 年國際電腦輔助設計大會（ICCAD）上明確表示，中國客戶並非僅限於使用南京廠的 16 納米或 28 納米產能，只要符合監管要求，仍可獲得 TSMC 全球製造網絡中更先進的製程技術支援。這項聲明澄清了市場長期存在的誤解，同時突顯 TSMC 在美中科技角力中的產能部署彈性。

VEU 授權撤銷：從快速通道到逐案審批

TSMC 於 2025 年 9 月 2 日接獲美國商務部通知，南京廠的 VEU 授權將於年底撤銷。VEU 機制原本允許經過驗證的特定企業免除逐案申請出口許可，可快速從美國供應商取得半導體製造設備。撤銷後，TSMC 南京廠每次進口美國晶片製造工具都必須單獨申請許可證，審批流程可能需時三至六個月。這項措施與美國同時撤銷 Intel 大連廠、Samsung 中國半導體以及 SK Hynix 中國廠的 VEU 授權屬於同一波次政策。美國商務部工業與安全局（BIS）自 2022 年 10 月起持續升級對中國的半導體出口管制，VEU 撤銷被視為「大院高牆」戰略的延伸，目的是限制中國取得可用於軍事或人工智能（AI）應用的先進晶片技術。

TSMC 南京廠目前擁有 16/12 納米製程月產能約 2.5 萬片晶圓，以及 28/22 納米製程月產能約 4 萬片。VEU 撤銷對該廠最直接的影響是無法輕易擴充產能或升級製程技術，因為每次設備採購都將面臨漫長的審批程序和不確定性。台灣經濟部當時指出，這代表南京廠從「特別通道」模式回歸「逐案審批」，增加了營運的監管複雜度。然而 TSMC 在聲明中強調，正在評估情況並採取適當因應措施，包括與美國政府溝通，致力確保南京廠營運不受影響。

產能部署彈性：全球製造網絡的戰略優勢

羅鎮球在 ICCAD 2025 會議上的發言成為市場焦點。他明確澄清，TSMC 的產能分配是基於客戶的技術要求、產品定位和合規性考量，而非客戶所在地區或單一晶圓廠。這項聲明打破了外界認為「中國企業只能使用南京廠產能」的刻板印象。羅鎮球進一步指出，只要符合監管要求，中國大陸客戶就可以利用 TSMC 全球製造網絡中更先進的製程技術，而不必局限於南京廠的 16 納米或 28 納米產能。

Xiaomi 集團自研的「玄戒 O1」晶片就是最佳實證案例。2025 年 5 月，Xiaomi 創辦人雷軍宣佈玄戒 O1 晶片成功問世，採用 TSMC 第二代 3 納米製程技術，電晶體數量達到 190 億個，與 Apple A18 Pro 處於同等水平。這款晶片搭載於 Xiaomi 旗艦手機 15S Pro 和平板 7 Ultra，成為中國大陸首款商業化的 3 納米製程系統單晶片（SoC）。羅鎮球在會議上提及這個案例，側面驗證了中國客戶確實可以獲得 TSMC 全球先進製程的支援。TSMC 作為全球唯一大規模量產 3 納米晶片的代工廠，其技術成熟度和產能規模是 Xiaomi 實現晶片商業化的核心保障。

然而這種彈性並非毫無限制。美國在 2024 年 11 月曾下令 TSMC 停止向中國客戶出貨用於人工智能應用的 7 納米及更先進製程晶片，特別是在發現 Huawei AI 處理器中使用了 TSMC 晶片之後。這意味著 TSMC 在服務中國客戶時必須嚴格遵守美國出口管制規定，確保產品不會被用於受限制的軍事或 AI 加速器應用。羅鎮球強調 TSMC「並非被動等待，而是在逐步解決問題」，顯示公司正在監管合規與客戶承諾之間尋求平衡。

地緣政治重塑半導體生態系統

VEU 撤銷事件折射出更廣泛的美中科技競爭格局。美國自 2020 年起持續升級對中國的半導體出口管制，從禁止向 Huawei 供應晶片，到限制先進製程設備出口，再到撤銷 VEU 授權，形成多層管控體系。2025 年 10 月，中國商務部首次行使域外管轄權，對稀土元素、半導體等產品實施出口管制，並引入「50% 規則」推定拒絕向被列入實體清單的企業及其子公司發放出口許可。這標誌著美中半導體衝突從單向制裁演變為雙向博弈。

Goldman Sachs 研究報告指出，中國先進半導體技術仍落後西方約二十年，但在美國制裁推動下，中國半導體自主化進程正在加速。中國半導體投資預計將從 2025 年的 430 億美元（約港幣 3,354 億元）增長至 2030 年的 460 億美元（約港幣 3,588 億元），年均增長率保持在 2% 至 6% 之間，投資重點轉向記憶體、先進節點技術和能持續擴大規模的行業領導者。SMIC 2025 年上半年營收增長 23.4%，產能利用率達到 92.5%，Huawei 作為其最大客戶，計劃在 2026 年將 7 納米晶片產能提升一倍。國際數據資訊（IDC）預測，2025 年中國 IC 設計產值已正式超越台灣，2026 年市場佔有率將進一步擴大至 45%，源自中國在美方制裁下仍積極發展本土 AI 晶片、高階手機處理器。

TSMC 本身則在 AI 晶片需求推動下持續成長。公司在 2025 年 10 月預測全年營收將成長近 35%，並上調資本支出至 400 億至 420 億美元（約港幣 3,120 億至 3,276 億元），其中 70% 投入先進製程開發。TSMC 董事長魏哲家表示，AI 相關晶片銷售在 2024 至 2029 年的複合年增長率預計將超過先前估計的 45%。這種強勁需求為 TSMC 提供了策略緩衝空間，即使中國業務面臨監管挑戰，公司仍可透過全球佈局維持成長動能。

企業策略調整與未來展望

VEU 撤銷對企業的影響已超越單一工廠營運層面，將推動整個半導體產業鏈重新思考中國市場策略。對 TSMC 而言，南京廠將轉為更聚焦於成熟製程的區域性生產基地，而先進製程訂單將主要由台灣、美國亞利桑那州和日本熊本等廠區承接。這種「製程分層、地域分散」的模式既符合地緣政治要求，又保持了對全球客戶的服務能力。對中國客戶而言，雖然仍可獲得先進製程支援，但必須接受更嚴格的合規審查和更長的交付週期，促使部分企業加速發展本土替代方案。

產業分析師認為，2026 至 2027 年將是中國先進製程擴產高峰期，半導體設備作為產業鏈自主可控的關鍵環節將深度受益於產能擴張。同時，全球半導體產業正經歷「從單極技術集中轉向多極體系分層」的結構性變革，中國在「先進製程停滯」與「成熟製程加速」兩條賽道上形成雙速市場，為本土供應商創造了受國際競爭干擾較小的「在地化替代」窗口。未來三至五年，全球半導體生態系統將持續在技術領先性與供應鏈韌性之間尋求新平衡，而 TSMC 作為產業龍頭，其在合規框架下維持全球服務能力的做法，將成為其他跨國企業的重要參考範本。VEU 撤銷事件僅是美中科技角力的一個章節，企業如何在分裂的全球市場中保持競爭力，將是未來十年最關鍵的戰略課題。

資料來源：世界新聞網電子工程專輯 South China Morning Post 中央通訊社

企業趨勢微電子業業界消息

ASML 執行長警告：過度制裁恐催生中國自主 EUV 光刻機

by Pierce on 19 十二月, 2025 企業趨勢微電子業業界消息 ASML 光刻機半導體地緣政治晶片

全球唯一極紫外光（EUV）光刻機供應商 ASML 行政總裁 Christophe Fouquet 於 2025 年 12 月接受彭博社專訪時發出嚴厲警告，指出西方國家若持續收緊對華半導體設備出口管制，反會迫使中國在未來 5 至 10 年內實現光刻機技術自主，甚至向西方市場輸出設備，改寫全球半導體供應鏈版圖。

技術代差擴大與市場依賴加深之矛盾

ASML 目前僅獲准向中國出口特定舊款深紫外光（DUV）機型，技術較最新的高數值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV）落後八個世代，相當於 2013 年產品水平，技術差距逾十年。雖然如此，中國大陸 2024 年仍躍升為 ASML 全球最大單一市場，收入佔比超越傳統重鎮台灣。這種「技術封鎖與商業依存」並存現象，正是 Christophe Fouquet 憂慮的戰略風險核心。

荷蘭政府繼 2024 年 9 月禁止 ASML 為已售予中國客戶的 1970i 和 1980i 型浸潤式 DUV 設備提供維修、零件更換及軟件更新服務後，2025 年 1 月更宣布自 4 月 1 日起將出口管制範圍擴大至測量與檢測設備，指相關技術可結合其他國家技術生產先進晶片，應用於軍事領域。荷蘭外貿與發展部長 Reinette Klever 強調此舉旨在配合美國 2023 年 11 月的國家安全限制，但業內人士指出，失去維修能力將對中國半導體產能造成即時打擊。

中國光刻機自主化進程加速

面對西方持續升級的技術封鎖，中國國產光刻機發展取得關鍵突破。2025 年 1 月 7 日，上海微電子（SMEE）成功交付首台自主研發 28 納米 DUV 光刻機，套刻準確度達 1.9 納米，採用多重曝光技術突破製程限制。雖然與 ASML 的 3 納米 EUV 系統仍有顯著差距，但已能滿足佔全球晶片需求逾 70% 的成熟製程市場。

SMEE 於 2025 年 2 月拆分成立芯上微裝（AMIES），專責設備商業化。據《證券時報》報導，該公司已掌握國內光刻機市場約 90% 市場佔有率，600 系列光刻系統已在 90 納米節點量產，28 納米浸潤式機型亦在開發中。中國先進微電子設備公司（AMEC）董事長尹志堯於 2024 年底預測，中國半導體供應鏈可在「2025 年夏季達到基本自給自足」，雖然品質與可靠性仍有差距，但在數百家企業協同努力下，原本預期需 10 年的目標可能提前實現。

在頂尖技術領域，據報 Huawei 正於東莞廠區測試自主研發 EUV 光刻機關鍵組件，採用激光放電誘導等離子體（LDP）技術產生 13.5 納米波長光源，計劃於 2025 年第二季試產，2026 年全面量產。雖然 LDP 技術成本較 ASML 採用的激光產生等離子體（LPP）低，但產出功率較弱，且目前僅為光學干涉儀等單一組件，距離完整 EUV 掃描機仍有巨大差距。杭州市政府亦於 2025 年宣布研發出首台商用電子束光刻機「王羲之」，號稱精確度達 0.6 納米、線寬 8 納米，但主要應用於研發而非量產。

產業專家質疑制裁成效

Christophe Fouquet 直言，擁有 14 億人口的中國不可能接受在先進技術領域長期受制於人。他認為當前出口管制核心爭議並非「是否與中國脫鉤」，而是「西方希望中國落後到何種程度」。美國智庫戰略與國際研究中心（CSIS）於 2025 年 9 月發布評估報告，指中國開發電子束光刻系統確是「邁向國內研發的真正進步」，為頂尖研究機構提供不依賴進口的研發工具。

法國《世界報》2024 年 10 月分析指出，光刻技術雖是制約中國晶片產業核心難點，但中國已制定 2030 年為全球提供三分之一晶片產能的目標，透過聚焦成熟製程繞開先進技術制裁，同時激活內部產業鏈活力。PwC 預測全球半導體市場將於 2030 年突破 1 兆美元（約港幣 7.8 兆元），其中中國市場預計達 2,950 億美元（約港幣 23,010 億元），年複合增長率 7.36%。

Christophe Fouquet 總結，中國發展國產光刻機最大優勢在於龐大內需市場、完善資源體系與成熟基礎製造業。即使初期設備效能未如理想，國內產業鏈支持足以推動技術改良。美銀證券（Bank of America）於 2025 年 11 月將 ASML 評級上調至「買入」並提高目標價，視之為「2026 年半導體首選股」，但同時指出中國市場不確定性屬主要風險因素。

地緣政治重塑供應鏈

半導體產業正從全球化協作體系轉向「區域化安全供應鏈」模式。McKinsey 研究顯示，全球半導體企業計劃於 2030 年前投資約 1 兆美元（約港幣 7.8 兆元）建設新廠，國家安全考量已取代成本效益成為選址首要因素。美國計劃於 2032 年前將本土晶圓廠產能提升 203%，全球產能佔比從 10% 增至 14%。中國則透過第三期國家半導體產業投資基金（大基金三期）優先投入製造設備領域，承認光刻機仍是產業致命弱點。

ASML 於 2025 年 10 月警告，中國收緊稀土出口管制可能導致設備交付延遲數週，突顯供應鏈相互依賴的脆弱性。中國新規定要求外國企業即使少量出口也須獲政府批准並說明用途，特別針對半導體與 AI 技術所需關鍵礦物。此外，荷蘭電視節目 Nieuwsuur 於 2025 年 12 月 9 月報導，ASML 客戶中至少有一家與中國軍方有關聯，引發荷蘭政府啟動調查。

技術封鎖長期效應與企業抉擇

Christophe Fouquet 的警告反映西方科技企業面臨的兩難：短期透過出口管制維持技術領先，長期卻可能培養出強勁競爭對手。ASML 目前享有 EUV 光刻機絕對壟斷地位，全球 17 座美國在建或擴建半導體廠均需其設備。公司 2025 年第三季收入達 70 億歐元（約港幣 593.6 億元），訂單充裕，毛利率穩定。若中國在未來 5 至 10 年內如專家預測般實現技術追趕，ASML 將失去最大單一市場，同時面臨新興競爭者價格壓力。

台灣於 2025 年 9 月實施新半導體出口管制，要求企業向 Huawei、中芯國際等名單實體出口前須獲政府批准。多國協同制裁雖強化短期圍堵效果，卻可能如 Christophe Fouquet 所言，加速中國「被迫自主創新」進程。Christophe Fouquet 在訪談中特別強調會親自研究機器技術細節，認為技術知識對與客戶合作至關重要，這種對技術本質的尊重，或許也是其理解中國不會放棄自主研發的根源。

圍繞光刻機的地緣科技博弈，最終可能驗證一個古老智慧：過度封鎖往往催生最頑強突破。對企業領導者而言，關鍵問題不再是「是否限制技術擴散」，而是「如何在保護知識產權與維持市場准入之間找到可持續平衡點」。隨著中國國產 28 納米光刻機進入商用階段、全球晶片需求持續擴張，半導體供應鏈去全球化趨勢恐不可逆轉，企業必須為「技術多極化」時代制定新競爭策略。

資料來源：
Bloomberg
Reuters
Netherlands Government
CSIS
PwC

企業趨勢微電子業業界消息

ASML 對華出口光刻機落後 8 代　技術鴻溝背後的全球半導體版圖重構

by Pierce on 17 十二月, 2025 企業趨勢微電子業業界消息 ASML High-NA SMEE 半導體晶片

ASML 行政總裁 Christophe Fouquet 近日披露，該公司向中國出口的光刻機與最新高數值孔徑（High-NA）技術相比整整落後 8 代，技術差距超過 10 年。這一表態不僅揭示了全球半導體供應鏈的深層裂痕，更突顯出地緣政治如何重塑科技產業的競爭格局。

代差背後的技術壁壘：從 DUV 到 High-NA 的跨越

ASML 對中國市場僅開放深紫外光（DUV）光刻機，而禁止出口極紫外光（EUV）及最新 High-NA EUV 裝置。這項限制的技術含義極為深遠：DUV 採用 193 納米波長，需透過多重曝光等複雜工藝才能製造 10 納米以下晶片；相較之下，EUV 使用 13.5 納米波長，可大幅簡化製程並提升良率。而 2023 年 12 月交付的首台 High-NA 系統更將數值孔徑從 0.33 提升至 0.55，能在單次曝光中呈現多達 3 倍的結構密度，預計 2025 至 2026 年投入量產。

荷蘭政府在 2023 年 3 月正式實施「國家管制清單」，將 ASML 最先進的深紫外浸潤式（immersion）系統納入出口管制範圍。這項被形容為「外科手術般精準」的政策源於美國 2022 年 10 月啟動的半導體出口管制升級，日本隨後跟進形成三國聯合封鎖。美國戰略與國際研究中心（CSIS）分析指出，這些限制在原則上已阻斷中國生產 2 納米及 3 納米先進晶片的能力，而這正是維持人工智能發展所需的核心技術。

市場依賴的矛盾：ASML 的中國困境

雖然面臨技術封鎖，中國反而成為 ASML 最大單一市場。2024 年第三季，中國訂單佔該公司總銷售額的 42%，遠超前一季度的 27%。更驚人的是，ASML 在 2021 至 2024 年間新增的 100 億歐元（約港幣 848 億元）營收中，約 75% 來自中國市場。財務總監 Roger Dassen 強調，這些裝置並非囤貨行為，而是真實投入晶片生產線運作。

然而，這種依賴關係充滿不確定性。ASML 預測 2026 年中國銷售將大幅下滑，部分原因是中國在 2024 年 10 月收緊稀土出口管制——該公司超過 90% 的稀土磁鐵來自中國。荷蘭新聞節目 Nieuwsuur 2025 年 12 月的調查報告更揭露，ASML 裝置流向中芯國際（SMIC）子公司及疑似與中國軍方有關的實體，雖然該公司堅稱所有交易符合出口法規。這種雙向依賴與戰略互斥的矛盾，正成為全球半導體生態系統最大的不穩定因素。

中國突圍路徑：從 28 納米到自主化的長征

面對技術封鎖，中國將 1,500 億美元（約港幣 1.17 兆元）投入「中國製造 2025」計劃加速自主研發。上海微電子裝備（SMEE）在 2025 年 1 月交付首台國產 28 納米光刻機，其套刻精度達 1.9 納米，可透過多重曝光技術挑戰更先進製程。雖然距離 ASML 的 3 納米 EUV 系統仍有差距，但該突破意義重大——成熟製程晶片仍佔全球需求逾 70%，涵蓋汽車電子、物聯網等關鍵應用。

印度智庫 Takshashila Institution 高科技地緣政治項目主席 Pranay Kotasthane 分析：「真正考驗在於 SMEE 能否在維持良率的前提下擴大產能。若成功，將重構成熟製程晶片的全球經濟學」。中芯國際和華虹半導體等晶圓代工廠已優先採購國產裝置用於傳統製程生產。然而，材料科學和計量技術的短板仍需數年時間彌補，而 ASML 在 EUV 領域的絕對壟斷地位短期內難以撼動。

產業重構的連鎖效應：從技術封鎖到供應鏈分裂

這場技術代差之爭正引發全球半導體產業的深層重組。中國推動「50% 國產裝置採購規則」直接衝擊韓國供應商，而西方國家則透過投資審查機制阻止中資收購半導體企業。ASML 行政總裁 Christophe Fouquet 在 2025 年 12 月接受彭博專訪時指出，公司正押注 High-NA 技術滿足 AI 晶片需求的爆發式增長，同時投資 10% 股份於歐洲大型語言模型公司以改良製程。

卡內基國際和平基金會研究員警告，出口管制雖短期延緩中國行程，但已激發其全方位自主化攻勢，部分成就「令人驚訝」。ASML 獨家光學供應商蔡司（ZEISS）確認，首家晶片製造商計劃 2025 年將 High-NA 系統投入量產，屆時單晶片可容納的電晶體數將實現數量級躍升。這場技術競賽的終局，可能不是單一陣營的勝利，而是平行供應鏈體系的長期並存 — 一個專攻尖端製程服務 AI 與高效能運算，另一個深耕成熟製程支撐全球製造業基盤。

對企業的影響與未來展望

這場技術封鎖對全球企業帶來三重影響：依賴中國市場的裝置商面臨政策風險與營收波動；晶片設計公司需在技術先進性與市場准入間取捨；終端製造業則承受供應鏈不穩定帶來的成本壓力。當技術標準開始分化為「西方陣營」與「中國標準」，企業將被迫在兩套生態系統間做出策略選擇。未來 5 年，這場 8 代技術差的博弈將決定：是封鎖政策成功遏制技術擴散，還是壓力催生出足以改寫遊戲規則的創新突破？

資料來源：
Reuters
Bloomberg
ASML Official Website
Center for Strategic and International Studies
LinkedIn Industry Analysis

企業趨勢微電子業應用方案業界消息

日本 DNP 突破 10nm 壓印技術　有望挑戰 ASML 的 EUV 壟斷地位

by Pierce on 16 十二月, 2025 企業趨勢微電子業應用方案業界消息 canon DNP EUV 半導體納米壓印

大日本印刷（DNP）於 2025 年 12 月宣布，成功開發 10nm 線寬的納米壓印光刻（NIL）技術，可應用於相當於 1.4nm 級別的先進邏輯半導體製造。這項突破為尚未部署極紫外光（EUV）設備的晶圓廠，提供另一條通往先進製程的路徑。技術預計 2027 年量產，目標在 2030 財年為 DNP 帶來 40 億日圓（約港幣 2 億元）的納米壓印業務營收。此技術重點在於能將曝光製程能源消耗降至傳統方法的十分之一，同時維持與 EUV 相當的圖形精度。本文將深入探討此技術如何挑戰 ASML 的 EUV 壟斷地位、對半導體供應鏈的影響，以及產業化的實際挑戰。

技術突破：用「印章」取代「光刻」的製程創新

DNP 此次開發的 10nm NIL 技術採用自對準雙重成像（SADP）工藝，透過薄膜沉積和蝕刻將電路圖形密度翻倍，實現相當於 1.4nm 節點的圖形化能力。與傳統光刻技術不同，納米壓印如同印章般將電路圖案直接壓印在晶圓上，省去複雜的光學系統。根據 DNP 官方數據，這項技術結合該公司在光罩製造領域累積的高精度圖形化能力，以及晶圓製造製程技術，在產品精度、穩定性與量產可行性方面均達到先進邏輯半導體要求。相較於 EUV 需要使用 13.5nm 波長的極紫外光和價值數億美元（約數十億港元）的設備，NIL 的物理壓印方式大幅簡化製造複雜度，使其在特定製程環節具備成本優勢。

能耗與成本優勢：挑戰 EUV 的經濟可行性

半導體製造是全球極為耗電的產業之一，單一 12 吋晶圓廠的用電量可達 100 至 200 百萬瓦，相當於一座小型城市的耗電量。在此背景下，DNP 的 NIL 技術展現顯著能源效益。根據官方估算，採用納米壓印的超精細半導體製程，可將曝光環節能源消耗降至當前主流製程（包括氬氟化物浸潤式和 EUV）的約十分之一。這項優勢在當前全球追求環保製造和碳中和的趨勢下尤為關鍵。Canon 作為 NIL 技術另一主要推動者，其 FPA-1200NZ2C 系統已能實現 14nm 線寬，並聲稱可生產 5nm 製程晶片，該公司更投資 500 億日圓（約港幣 25 億元）在宇都宮建設新廠，將光刻系統產能提升三倍。市場研究顯示，納米壓印光刻系統市場規模預計從 2024 年的 1.4 億美元（約港幣 10.9 億元），增長至 2032 年的 2.9 億美元（約港幣 22.6 億元），年複合增長率達 9.5%。

產業格局重構：ASML 壟斷地位面臨挑戰

ASML 目前在 EUV 光刻設備市場擁有近乎壟斷地位，該公司計劃到 2025 年將產能提升至年產 600 台深紫外光（DUV）設備和 90 台 EUV 設備。EUV 光刻設備市場預計從 2025 年的 97.1 億美元（約港幣 757.4 億元），增長至 2030 年的 183.8 億美元（約港幣 1,433.6 億元），到 2034 年將達 339.1 億美元（約港幣 2,645 億元）。然而 NIL 技術崛起為這一格局帶來變數。日經亞洲報導指出，DNP 計劃 2027 年開始量產可用於製造尖端 1.4nm 晶片的模板材料，這為未能取得 ASML 高價 EUV 設備的廠商提供替代方案。產業分析師認為，雖然 NIL 可能無法完全取代 EUV 在大規模邏輯晶片生產中的地位，但在特定應用場景如記憶體晶片、光電元件和生物醫療設備製造中具有競爭優勢。Canon 和 DNP 的技術推進顯示，日本正試圖在被 ASML 主導的先進光刻領域開闢新賽道。

商業化挑戰：從實驗室到量產的關鍵考驗

雖然技術前景看好，NIL 要實現大規模商業應用仍面臨多重挑戰。DNP 已開始與半導體製造商進行客戶評估工作，但量產良率、生產節拍以及與現有製程整合等問題仍待驗證。半導體設備市場研究顯示，光刻技術在先進節點製造中的創新佔比超過 50%，EUV 在先進節點的圖形化成本較 DUV 降低達 25%。NIL 要獲得晶圓廠採納，必須在這些關鍵指標上展現競爭力。同時，TSMC 和 Samsung 等領先晶圓代工廠已在 EUV 製程上投入巨資並建立完整生態系統，TSMC 5nm 製程有 70% 依賴 EUV 技術，Samsung 則計劃 2025 年推出 2nm 製程、2027 年推出 1.4nm 製程。DNP 的技術更適合作為補充性解決方案，針對特定製程環節或尚未大規模投資 EUV 的中小型製造商。

對企業的策略意義與產業前瞻

DNP 的 10nm NIL 技術突破對半導體產業鏈具有多重戰略意義。對晶片設計公司而言，這提供更多樣化的製造選項，降低對單一設備供應商的依賴風險。對晶圓代工廠而言，NIL 可作為降低特定製程環節成本和耗電的工具，特別是在地緣政治風險加劇、設備取得受限的情境下。對投資者而言，納米壓印技術市場有望在未來十年超過 10 億美元（約港幣 78 億元）規模，相關供應鏈值得關注。然而，這項技術能否如 DNP 所願在 2030 財年貢獻 40 億日圓營收，關鍵在於能否在未來兩年內完成客戶驗證並建立穩定供應體系。隨著人工智能（AI）、數據中心和 5G 應用推動半導體需求持續擴張，先進製程技術的多元化發展將成為產業新常態。NIL 技術是否能在 ASML 主導的市場中開闢出一條可持續發展之路，2027 年的量產表現將是關鍵驗證點。

資料來源：
DNP官方新聞稿
 日經亞洲
 Market Report Analytics
Market Data Forecast
Move-X AI

IT 基建人工智能企業趨勢微電子業

馬斯克啟動「TeraFab」建廠計劃 Tesla AI 晶片年產能目標超全球科技巨頭總和

by Pierce on 26 十一月, 2025 IT 基建人工智能企業趨勢微電子業 AI晶片 ElonMusk TeraFab Tesla 垂直整合

Tesla 行政總裁馬斯克宣佈，公司已確立每 12 個月推出一款新 AI 晶片的生產節奏，目標是晶片產量最終超越所有其他科技公司的總和。此宣示意味 Tesla 正從電動車製造商轉型為半導體產業重要參與者，挑戰 Nvidia、AMD 等傳統 AI 晶片霸主地位。馬斯克透露，目前車載版本為 AI4 晶片，AI5 即將完成流片（tape out），AI6 已啟動研發。為解決產能瓶頸，Tesla 計劃建立名為「TeraFab」的超大型晶圓廠，規模將超越台積電 Gigafab 等級。

垂直整合戰略推動自主晶片產能擴張

Tesla 對 AI 晶片需求源於多元化產品線爆炸性增長。據《Bloomberg》報導，AI5 晶片將部署於 Tesla 汽車、數據中心、預計推出的 Cybercab 自動駕駛的士及 Optimus 人形機械人。馬斯克在股東會議中指出，即使整合台積電、Samsung 等 4 座晶圓廠產能，仍無法滿足公司預估需求。Tesla 目標在未來數年內達到年產 500 萬輛汽車，加上數百萬台人形機械人，每個單元需搭載多顆 AI 晶片，總需求量將達數億至數十億顆級別。

這種供需缺口促使 Tesla 採取 Apple 式垂直整合策略。投資分析平台 AInvest 指出，Tesla 透過自主設計晶片、軟件和數據閉環系統，正減少對傳統供應商依賴。與外部採購相比，自研晶片可針對全自動駕駛（FSD）和機械人控制進行專用最佳化，在成本、功耗和效能上取得優勢。馬斯克聲稱，AI5 晶片效能可比擬 Nvidia 旗艦 Blackwell 晶片，但功耗僅三分之一，生產成本不到 10%。若能實現此經濟效益，將徹底改變 AI 運算成本結構。

AI5 世代晶片規格與競爭定位分析

根據《NotATeslaApp》報導，AI5 晶片相較前代 AI4 實現技術代際躍進：運算效能提升 10 倍、記憶體容量增加 9 倍、區塊量化效能提升 5 倍。這些規格專為支援百萬輛級別自動駕駛車隊和人形機械人即時推理運算而設計。半導體產業分析師指出，Tesla 戰略性放棄自研 Dojo 訓練晶片，轉而專注於推理晶片開發，符合商業優先思維。推理晶片直接應用於終端產品，產生即時營收，而訓練晶片市場規模較小且競爭激烈。

在製程技術方面，南韓《朝鮮日報》報導，Samsung Electronics 已獲得 AI6 晶片價值 165 億美元（約港幣 1,287 億元）生產合約，將採用 2nm SF2 製程於美國德州 Taylor 廠生產。同時，AI5 晶片將由台積電和 Samsung 分別在亞利桑那州和德州廠區代工。馬斯克特別強調，Samsung 德州廠設備「技術上略為領先」台積電亞利桑那廠，這可能影響未來訂單分配。雖然兩家代工廠對設計物理轉換方式不同，但 Tesla 的 AI 軟件可在兩種晶片上完全相容運作。

值得留意，與 Nvidia Blackwell 或 AMD MI350 系列相比，Tesla 晶片屬於 ASIC（應用專用積體電路），並非通用 GPU。Nvidia 憑藉 H100、B200 等產品主導 AI 訓練市場，其 2025 年市值達 4.16 兆美元（約港幣 32.4 兆元），而 AMD 以較低價格定位競爭，MI350 推理效能較前代提升 35 倍。Tesla 差異化在於針對自動駕駛和機械人場景垂直最佳化，犧牲通用性換取極致功耗效率和成本優勢。

TeraFab 建廠計劃的技術挑戰與供應鏈重構

馬斯克在股東會議中透露，Tesla 正評估建立「TeraFab」晶圓廠可能性，規模將遠超台積電 Gigafab 概念。台積電將月產能 10 萬片以上廠區稱為 Gigafab，其亞利桑那 Fab 21 總投資將達 1,650 億美元（約港幣 1.28 兆元）。若 Tesla 之 TeraFab 成真，將需要天文數字級別資本支出和技術人才。馬斯克坦言：「即使外推供應商最佳情境，產能仍不足。我看不到其他方法滿足晶片需求量。」

然而，半導體製造複雜度遠超汽車組裝。《Tom’s Hardware》分析指出，建立先進製程晶圓廠需要掌握數千個製程步驟，涵蓋前段（FEOL）、中段（MOL）和後段（BEOL）模組，每個步驟涉及數百至數千個參數調校。這些技術累積需要數十年經驗，且無法從 IBM、Imec 等研發機構直接授權。Tesla 雖曾為 SpaceX 建立晶片供應鏈零件，但要達到 AI 晶片量產規模，唯一可行路徑是透過合作夥伴和產能擴張。

供應鏈專家指出，Tesla 多元化代工策略既是風險分散，亦是產能保障。台積電擁有成熟製程和高良率，Samsung 提供最新設備和產能彈性，而傳聞中 Intel 代工合作（18A 製程）則增加談判籌碼。這種「三足鼎立」佈局確保任一供應商出現問題時，不致癱瘓整體生產。但《Digitimes》報導警告，即使整合三大代工廠，Tesla 產能缺口依然巨大，這正是 TeraFab 計劃戰略必要性所在。

自動駕駛車隊與人形機械人驅動晶片需求爆發

Tesla AI 晶片需求驅動力來自三大應用場景。首先是全自動駕駛系統，馬斯克承諾 Cybercab 無方向盤自動駕駛的士將於 2026 年 4 月開始生產。每輛 Cybercab 需搭載多顆 AI5 晶片進行即時環境感知和路徑規劃，若車隊規模達百萬輛，單此項目年需求即達數百萬至千萬顆。其次是 Optimus 人形機械人，馬斯克預測其製造成本最終可降至 2 萬美元（約港幣 15.6 萬元），並聲稱「執行手術優於最佳人類外科醫生」、「消除貧困」。若 Optimus 達到量產，每台機械人需要運算能力將超過汽車，因其需處理更複雜運動控制和人機互動。

第三大應用是 Tesla 自有數據中心。《NotATeslaApp》報導，自公司放棄 Dojo 訓練晶片後，AI5 將同時承擔推理和訓練任務。同時，馬斯克旗下 xAI 公司正在沙特阿拉伯建設 500MW 數據中心，可能採用 Tesla 晶片。這種跨公司資源整合進一步推高晶片需求。馬斯克甚至提出「分散式超級電腦」概念，將停放中 Tesla 車隊作為運算節點，若能實現則需為所有車輛配備 AI5，總量將達數億顆級別。

產業分析師郭明錤指出，雖然馬斯克計劃聽起來極為激進，但從供應鏈動態來看其戰略屬實。Tesla 股價年初至今上漲 13.25%，反映投資者對 AI 晶片戰略具信心。馬斯克強調，這些晶片將「透過更安全駕駛拯救無數生命，並透過 Optimus 向全球提供先進醫療照護」，將技術發展與社會價值連結。

對半導體產業格局的長期影響

Tesla 晶片戰略正重塑半導體產業競爭態勢。對於台積電和 Samsung 而言，Tesla 是繼 Apple、Nvidia 後又一超級客戶，但也屬潛在長期威脅。一旦 TeraFab 建成，Tesla 可能逐步收回部分產能，壓縮代工廠市場空間。Epium 分析指出，當前全球約 90% 最先進 AI 晶片由台積電生產，這種高度集中增加地緣政治風險。Tesla 多元化佈局和自建廠計劃，呼應美國《晶片法案》推動供應鏈在地化趨勢。

對 Nvidia 和 AMD 而言，Tesla 崛起是直接挑戰。雖然 Tesla 晶片目前僅供內部使用，但其「10% 成本、33% 功耗」規格若被驗證，可能促使其他車廠和機械人公司開發專用 ASIC，侵蝕通用 GPU 市場。Nvidia 護城河在於 CUDA 軟件生態系統和 Transformer Engine 等專用硬件，但在推理應用領域，專用晶片效率優勢正逐漸顯現。這場競賽結果將決定未來十年 AI 運算技術路線：是通用 GPU 主導，還是各領域專用晶片百花齊放。

從企業戰略角度，Tesla 晶片計劃展示科技巨頭走向垂直整合典範。如同 Apple 以自研 M 系列晶片擺脫 Intel 依賴，Tesla 正透過 AI 晶片掌握核心技術主導權。這對台灣半導體產業既是機遇亦是警訊：短期內代工訂單激增，長期則面臨客戶自主化挑戰。台積電和 Samsung 需在製程技術、先進封裝（CoWoS、SoIC）等領域持續領先，才能維持不可替代性。

自主晶片生態系統重新定義汽車科技競爭力

Tesla AI 晶片戰略為全球汽車產業樹立新典範：未來競爭力將取決於軟件硬件整合能力，而非傳統機械工程。當 Tesla 每年推出新世代晶片時，傳統車廠若持續依賴外部供應商，技術代差將逐年擴大。馬斯克曾表示計劃每年生產高達 2,000 億顆 AI 晶片，此數字雖誇張但突顯其決心。隨著 AI5 於 2027 年量產、AI6 研發啟動，Tesla 正構建一個從晶片設計、製造到應用完整閉環生態系統。

然而挑戰依然艱鉅。半導體建廠週期長達 5 至 7 年，TeraFab 何時落實仍是未知數。AI5 實際效能表現、良率爬升速度、與 Nvidia 真實對比，均需等待市場驗證。對投資者而言，Tesla AI 晶片計劃既是增長動能，亦是資本支出風險。對產業而言，一場圍繞 AI 運算主導權爭奪戰已然開打。Tesla 能否如馬斯克所言「產量超越所有其他製造商」，將在未來三至五年內揭曉，並深刻影響汽車、機械人和半導體三大產業版圖重構。

資料來源： Bloomberg、 Tom’s Hardware、 NotATeslaApp、 The Chosun Daily、 Investopedia

IT 基建企業趨勢微電子業

日本半導體三巨頭斥巨資擴產：2nm 工藝時代已來

by Pierce on 4 十一月, 2025 IT 基建企業趨勢微電子業 2nm MOR 光刻膠半導體晶片

日本半導體三大巨頭正在全球範圍掀起一場激烈產能競速——這是對下一代晶片工藝爭奪的戰略預判。東京應化工業（Tokyo Ohka Kogyo, TOK）、JSR 公司和 Adeka 等日本光刻膠製造商近期宣布的數十億日元投資計劃，標誌全球半導體材料供應鏈正在經歷一次深度重塑。這些投資除了針對韓國的三星和 SK 海力士等晶片製造商，更是為 2025 年至 2030 年間即將爆發的先進工藝需求做充足準備。

日本材料巨頭的全球戰略性佈局

日本在光刻膠領域擁有壓倒性技術壟斷地位。根據市場數據，日本企業佔據全球光刻膠市場 91% 以上的市場佔有率，其中東京應化工業單獨掌握全球市場 25.1%，而在高階 EUV 光刻膠領域更是控制 45.9% 市場佔有率。東京應化工業在韓國投資 200 億日元（約港幣 10 億元）建設光刻膠工廠，預計 2030 年投產，同時再追加投資 120 億日元（約港幣 6 億元）建設高純度化學廠。這一雙軌投資策略的本質，是將供應鏈前移至距離主要客戶最近的地理位置——三星、SK 海力士等全球頂級晶片製造商的大本營。

根據美國銀行集團 (UBS) 的研究，日本光刻膠企業預計將至少保持技術優勢至 2030 年，這意味未來五年內，掌握光刻膠供應的企業將掌握全球半導體產業的咽喉。

JSR 公司採取更激進的時間表——其位於韓國的 MOR 型光刻膠工廠計劃在明年底就實現量產，比東京應化工業提前兩至三年。而位居百年老店的 Adeka 公司則採取「本土優先」策略，在日本投資 32 億日元（約港幣 1.6 億元）建設 MOR 型光刻膠工廠，目標是在 2028 年 4 月實現量產。

韓國成為產業樞紐的必然性

韓國之所以成為日本材料巨頭擴產的首選地，背後存在多重深層原因。韓國政府於 2024 年宣布一項宏大半導體集群計劃，預計在 2047 年前投資 471 億美元（約港幣 3,673.8 億元），其中京畿道的平澤-龍仁（Pyeongtaek-Yongin）區域將成為全球最大晶片製造中心，目標月產能達到 770 萬片晶圓。這一區域已經匯聚三星電子、SK 海力士等全球頂級晶片企業，而它們對光刻膠等材料的需求量正爆炸式增長。

SK 海力士預計 2025 年資本支出將增長 75%，用作應對人工智能晶片對高頻寬記憶體（HBM）的瘋狂需求——HBM 的 2024 年需求量增長 200%，預計 2025 年還將增長 70%。這種需求端的激增直接轉化為對高階光刻膠的迫切需求。同時從地緣政治角度看，日本材料企業在韓國建廠也有助規避可能的貿易摩擦風險，通过本地化生產降低供應鏈脆弱性。

根據美國國際貿易委員會的數據，韓國半導體產業的全球競爭力正持續上升。三星晶圓代工業務對 2nm 工藝的投資已經啟動，而 SK 海力士在 DRAM 1b 和 1c 等先進工藝上的產能擴張計劃已經獲得確認。這些企業迫切需要本地化材料供應夥伴，以應對全球光刻膠供應可能面臨的瓶頸。日本企業在韓國投資，不僅是建造一座工廠，更是建立長期戰略紐帶，確保當 2nm 晶片大規模產業化時，不會因為材料短缺而成為產能瓶頸。

MOR 型光刻膠技術的戰略價值

MOR（金屬氧化物光刻膠）已經成為 EUV 極紫外線光刻工藝的核心選擇，這是本輪日本企業集中擴產的技術邏輯。相比傳統的化學增強抗蝕體（CAR）材料，MOR 具有三大優勢：首先，材料成本比乾式光刻膠低約 33%，這在成本敏感的晶片製造中具有顯著吸引力；其次，MOR 在解像度、線邊粗糙度（LER）和圖案坍塌等關鍵指標上表現更優，尤其是在超小特徵尺寸下；第三，MOR 的材料浪費量可降低 5 至 10 倍，符合現代晶片廠對環保製造的要求。東京電子公司的投資者日報顯示，MOR 預計將在 10 埃（1nm）工藝節點用作邏輯晶片，在 1xnm 工藝節點用作 DRAM。

產業鏈上的關鍵參與者已經開始驗證 MOR 的商用可行性。SK 海力士已經確認在 1xnm DRAM 工藝中採用 MOR 方案，三星也在進行相關測試。根據市場研究機構 Valuates Reports 的最新報告，全球 EUV 光刻膠市場 2024 年規模為 2.96 億美元（約港幣 2.3 億元），預計到 2031 年將達到 14.09 億美元（約港幣 109.9 億元）。這意味在未來七年內，EUV 光刻膠市場規模將增長近 5 倍。

全球半導體產業鏈的中長期預期

日本企業這波擴產投資，本質上反映全球晶片產業對未來五至十年的一致判斷：2nm 及以下工藝將從研發階段進入規模化生產階段。美國能源部的數據顯示，全球半導體市場預計到 2030 年將達到 1 兆美元（約港幣 7.8 兆元）規模，這意味對先進工藝晶片的需求將超過歷史任何時期。日本企業雖然在本土缺乏 2nm 工藝的晶片製造廠，但他們通過積極佈局海外，對 2nm 及以下的先進工藝同樣「志在必得」。國家層面的支援也在強化這一趨勢——日本經濟產業省（METI）正為本地材料供應商在精細化學品研發上提供支援，而美國政府對日本材料企業在歐洲擴張的戰略支援，也進一步強化這些企業的全球競爭力。

與此同時，中國等新興參與者雖然在光刻膠研發和生產上取得進展，但仍難以撼動日本企業的市場地位。中國企業目前主要在 i 線和 KrF 光刻膠領域取得突破，距離高階 EUV 光刻膠的商業化仍有較大技術與成本差距。這意味日本企業至少在 2030 年之前，仍將維持其在 EUV 光刻膠的壟斷地位。這種技術優勢的可持續性，進一步激發日本企業的擴產決心。

對產業生態的深遠影響

日本光刻膠企業的巨額投資，必然對全球半導體產業鏈的分佈格局產生深遠影響。首先這將強化韓國作為全球晶片製造中心的地位。當高階材料實現本地化供應後，三星和 SK 海力士的 2nm 工藝競爭力將大幅提升，成本結構也將進一步改善。其次這將加劇日本對全球半導體材料價值鏈的控制——在後摩爾定律時代，晶片性能提升的關鍵已經從工藝工程轉向材料創新，日本企業通過壟斷關鍵材料供應，實際上掌握全球晶片產業的升級密鑰。

從供應鏈彈性角度看，日本企業在多地佈局生產基地，有助降低全球晶片產業對單一國家材料供應的依賴風險。但同時這也強化日本在全球半導體產業中的話語權——無論晶片製造在哪裡發生，日本的材料和化學品企業都能從中獲利。這種「隱形冠軍」的戰略地位，比擁有晶片製造產能更加穩定和持久。

結論與前景

日本光刻膠巨頭的擴產浪潮，標誌半導體產業正進入一個新競爭階段。不再是純粹工藝競爭和製造規模競爭，而是上游材料供應鏈的爭奪戰。這些投資對行業的啟示是清晰的：在後摩爾定律時代，掌握關鍵材料的企業，將比掌握製造工藝的企業獲得更大戰略優勢。對於中國及其他新興晶片產業參與者而言，這更是一個警示——如不在材料領域實現突破，再先進的工藝目標都可能受制於上游。

資料來源：日經亞洲 (Nikkei Asia) | Valuates Reports | JSR Corporation Official | USD Analytics | 瑞銀集團 (UBS)

企業趨勢微電子業業界消息

歐盟 27 國聯手推動《晶片法案 2.0》：荷蘭主導半導體聯盟尋求戰略突破

by Pierce on 30 九月, 2025 企業趨勢微電子業業界消息 ASML 半導體晶片法案歐盟荷蘭

歐盟全部 27 個成員國已正式加入由荷蘭牽頭的半導體聯盟，共同推動對現行《晶片法案》的重大修訂，標誌著歐洲在全球晶片競爭中採取更統一和積極的戰略立場。這個名為「半導體聯盟」（Semicon Coalition）的組織於 2025 年 9 月 29 日向歐盟委員會提交聲明，呼籲制定《晶片法案 2.0》，將原本籠統的「2030 年達到全球 20% 市場佔有率」目標，轉化為更具針對性的戰略行動。

產業聯盟形成背景及戰略意義

半導體聯盟最初於 2025 年 3 月由荷蘭聯合其他 8 個歐盟成員國成立，包括奧地利、比利時、芬蘭、法國、德國、意大利、波蘭和西班牙。該聯盟的成立反映了歐洲對半導體供應鏈脆弱性的深度關切。據歐洲審計院指出，按照當前進展速度，歐盟「到 2030 年佔全球晶片市場 20% 市場佔有率」的目標難以實現，這促使各成員國尋求更務實和有效的戰略路徑。

目前已有超過 50 家領先的歐洲和國際半導體企業支援該聲明，顯示出產業界與政府間的高度共識。這種產業與政府聯合模式為歐盟半導體戰略修訂提供了強大支援，也符合 Mario Draghi 關於歐洲競爭力未來報告的建議方向。

技術主權挑戰與市場現實

歐洲半導體產業面臨的挑戰遠比預期複雜。雖然歐盟在 2023 年推出了《晶片法案》，並動員了超過 800 億歐元（約港幣 6,784 億元）的投資，但在吸引先進晶片製造投資方面仍然困難重重。最具代表性的挫折是 Intel 取消其在德國建造大型新工廠的計劃，這一決定被視為歐洲半導體戰略的重大打擊。

Intel 退出歐洲製造項目的原因包括「過高的建造和能源成本」，以及與德國政府在補貼談判中的分歧。專家分析指出，歐洲的高能源價格、監管複雜性和技能短缺問題阻礙了投資者，而美國和日本為晶圓廠提供 25% 至 30% 的補貼率，是德國最初向 Intel 提供補貼的兩倍。

荷蘭在歐洲半導體生態系統中擁有獨特地位，主要歸功於 ASML 的全球領導地位。ASML 是目前世界上唯一能夠製造極紫外光（EUV）光刻機的公司，在光刻工具市場佔據約 90% 的市場佔有率，使其成為全球半導體供應鏈中不可替代的關鍵環節。ASML 的技術優勢為荷蘭在推動歐盟半導體戰略中，提供了重要的談判籌碼和技術基礎。

五大戰略重點及實施路徑

《晶片法案 2.0》聲明確立了五個核心優先領域，標誌著歐盟半導體戰略從廣泛目標向精準行動的重要轉變。首先是透過加強產業、研究機構、中小企業和初創公司之間的協作，來鞏固半導體生態系統。其次在投資策略方面，聯盟主張統一歐盟和國家資金配置，加速戰略項目審批流程，並動員私人資本參與。

技能發展構成了第三個重點領域，透過建立強勁的歐洲半導體技術人才培養體系，來應對技能短缺問題。可持續發展作為第四個支柱，強調發展高能效和循環經濟的半導體製造模式。最後聯盟尋求擴大國際夥伴關係，與理念相近的全球夥伴合作，同時保護歐洲的戰略自主權。

這些戰略重點的制定，是基於對當前半導體市場動態的深度分析。中國正透過 1,420 億美元（約港幣 11,076 億元）的股權基金，努力建立自給自足的半導體產能，並在鎵和鍺等半導體原材料的全球供應中佔據主導地位。美國透過《晶片法案》提供 520 億美元（約港幣 405.6 億元）補貼已見成效，韓國則提供 740 億美元（約港幣 577.2 億元）的稅收優惠，支援半導體製造。

面向 2030 年的戰略展望

歐盟委員會正在對《晶片法案》進行評估和審查，並於 2025 年 9 月 5 日啟動了為期 12 週的公眾諮詢。這次審查將為未來法案修訂提供重要參考。專家預測，在全球競爭加劇的背景下，歐洲目前佔全球半導體產能 8% 的市場佔有率，到 2030 年很可能維持不變，但如果沒有歐盟的干預，這一比例可能會顯著下降。

歐洲的成功策略應該是保持在全球半導體競爭中的地位，確保歐洲汽車和電信技術等關鍵產業能夠持續獲得尖端微晶片。完全獨立於其他地區是不可能的，因為半導體市場依賴高效的全球供應鏈。因此《晶片法案 2.0》的目標，應該是在戰略自主與全球相互依存之間找到平衡點。

荷蘭主導的半導體聯盟為歐洲半導體產業注入了新的動力和方向。透過 27 個成員國的一致支援，歐盟正在向更協調和有效的半導體戰略邁進。這一戰略的成功不僅取決於資金投入，還需要在人才培養、技術創新和國際合作等多個層面的系統性改良。隨著 AI、汽車、能源和國防等關鍵領域對高性能晶片需求的持續增長，歐洲能否在這場全球半導體競賽中保持競爭力，將在很大程度上決定其未來的經濟繁榮和戰略安全。

資料來源：
歐盟委員會數位戰略 ,路透社

企業趨勢微電子業資訊及通訊科技

高盛研究調查：中國先進半導體技術仍落後西方二十年

by Pierce on 25 九月, 2025 企業趨勢微電子業資訊及通訊科技 ASML 光刻技術半導體晶片戰高盛

國際投資銀行高盛最新研究報告指出，中國光刻裝置製造商在先進半導體技術方面，至少落後美國同行 20 年，這評估突顯了中國在實現半導體自主化道路上面臨的巨大挑戰。雖然中國政府投入大量資源發展本土半導體產業，但在最關鍵的光刻技術領域，與荷蘭 ASML 等國際領先企業的差距仍然懸殊。這份報告發布之際，正值美國對華半導體出口管制措施持續升級，而中國亦在加速推進「中國製造 2025」戰略下的半導體自主化過程。

技術差距懸殊，追趕之路漫長

高盛研究團隊在報告中詳細分析了中國光刻裝置產業的技術水平，發現中國本土製造商目前主要集中在 65 奈米製程階段，而 ASML 已經在 3 奈米以下技術領域建立了絕對優勢。根據高盛數據，ASML 耗費 20 年時間和 400 億美元（約港幣 3,120 億元）的研發與資本支出，才實現從 65 奈米到 3 奈米以下光刻技術的躍升。中國最大的光刻裝置製造商上海微電子裝備集團（SMEE）在 2023 年底聲稱成功開發 28 奈米光刻機 SSA/800-10W，這被視為重大突破，但分析師對其大規模量產能力提出質疑。業界專家指出，光刻技術除了涉及裝置製造，更需要全球化的供應鏈支援，包括來自美國和歐洲的核心零部件，這令中國在短期內實現技術突破面臨巨大挑戰。

出口管制重塑產業競爭格局

美國主導的多邊出口管制措施，正在深刻重塑全球半導體產業競爭格局，對中國企業造成了實質影響。自 2022 年 10 月起，美國政府禁止 ASML 向中國銷售最先進的極紫外（EUV）光刻機，迫使中芯國際等中國晶圓代工企業，只能使用較舊的深紫外（DUV）裝置生產 7 奈米晶片。雖則如此，中芯國際 2025 年上半年營收仍然增長 23.4%，產能利用率達到 92.5%，顯示出強勁的市場需求。華為作為中芯國際最大客戶，計劃在 2026 年將 7 奈米晶片產能提升一倍，以滿足其 AI 晶片 Ascend 系列的生產需求。然而分析機構 SemiAnalysis 的研究顯示，由於缺乏先進的封裝技術和高頻寬記憶體，華為的 AI 晶片產能擴張仍面臨瓶頸。

市場投資持續增長，自主化進程加速

雖然面臨技術和貿易挑戰，中國半導體產業的投資規模仍在穩步增長。高盛研究預測，中國半導體投資將從 2025 年的 430 億美元（約港幣 3,354 億元）增長至 2030 年的 460 億美元（約港幣 3,588 億元），年均增長率保持在 2% 至 6% 之間。投資重點將轉向記憶體、先進節點技術，以及能持續擴大規模並升級技術的行業領導者。在裝置自主化方面，中國企業正在加快追趕步伐。最新消息顯示，中芯國際已開始測試國產深紫外光刻裝置，以減少對 ASML 的依賴。中國半導體裝置製造商的國內市場佔有率，已從 2019 年的 4% 提升至 2023 年的 14%，在蝕刻、清洗、沉積等多個細分領域取得進展。雖然在最核心的光刻技術領域仍然落後，但中國企業正透過技術積累和市場應用逐步縮小差距。

全球產業鏈重構與競爭新態勢

當前全球半導體產業正經歷前所未有的重構過程，地緣政治因素與技術競爭交織，形成了複雜的競爭新態勢。ASML 作為全球光刻裝置的絕對領導者，2025 年 9 月宣布與法國 AI 公司 Mistral AI 建立戰略夥伴關係，投資 13 億歐元（約港幣 110.24 億元）加強在 AI 領域的佈局。此舉除了鞏固 ASML 的技術領先地位，也為其客戶提供更智能的製造解決方案。與此同時，台積電、Samsung 等晶圓代工巨頭在先進製程領域的競爭愈發激烈，台積電憑藉其在 2 奈米技術上的領先優勢，繼續擴大市場領先地位。

對於中國企業而言，這種全球競爭格局既帶來挑戰也創造機遇，特別是在特色工藝和成熟製程領域，中國企業有望發揮成本優勢和本土市場需求優勢，實現差異化競爭。高盛這份報告再次提醒業界，半導體技術發展需要長期積累和巨額投入，中國在實現半導體自主化的道路上仍需付出更多努力。然而隨著國內市場需求持續增長和政策支援力度加大，中國半導體產業有望在未來幾年內在特定領域實現突破。對於全球企業而言，如何在技術競爭與合作中找到平衡點，將成為未來發展的關鍵課題。

資料來源：
cnBeta ,ASML官方 ,Manufacturing Asia

IT 基建人工智能微電子業

龍芯首創 GPGPU 晶片完成研發中國自主 GPU 產業邁向新里程碑

by Pierce on 18 九月, 2025 IT 基建人工智能微電子業 9A1000 ai GPU 晶片龍芯

中國自主處理器廠商龍芯中科宣布，其首款通用圖形處理器 9A1000 已完成研發工作，預計於 2025 年第三季進入流片階段。這款定位為入門級 GPGPU 的產品，圖形效能對標 2017 年推出的 AMD Radeon RX 550，同時具備 40 TOPS 的 AI 運算能力，標誌著中國在 GPU 自主研發領域取得重要突破。這次發布除了代表龍芯從 CPU 廠商向 GPU 領域的戰略擴張，更反映了中國半導體產業在美國出口限制下，尋求技術自主的迫切需求。

技術規格突破帶來的商業價值重新定義

龍芯 9A1000 雖然圖形效能僅對標八年前的 AMD RX 550，但其技術創新集中在架構改良和 AI 加速能力上。根據龍芯中科董事長胡偉武在 2024 年半年度業績說明會上透露，9A1000 在流處理器面積縮減 20% 的同時，工作頻率提升 25%，輕載功耗降低 70%。這種設計理念反映了中國 GPU 廠商對市場需求的獨特理解，即優先發展 AI 推理和科學計算能力，而非追求頂級遊戲效能。

清華大學微電子學研究院教授魏少軍指出，「中國 GPU 產業的發展路徑與歐美廠商截然不同，更注重在特定應用場景下的性價比優勢」。9A1000 支援 OpenGL 4.0 和 OpenCL ES 3.2 標準，相比龍芯 2K3000 處理器內建的 LG200 顯示核心，整體效能提升 4 倍，AI 運算能力更是達到 5 倍增長。這種漸進式技術路線為中國 GPU 產業奠定了紮實的發展基礎。

產業生態系統建立面臨的關鍵挑戰

中國 GPU 產業的發展並非一帆風順，軟件生態系統的不成熟成為最大障礙。據業內專家分析，即使 9A1000 順利完成流片，其商用價值仍受到驅動程式開發和軟件相容性問題的制約。Bernstein 研究報告指出，雖然美國出口限制為中國本土 AI 晶片廠商創造了機會，但技術差距和生態系統缺失仍是亟待解決的核心問題。

中國科學院計算技術研究所研究員包雲崗表示，「GPU 不只是硬件產品，更是一個完整的軟硬件生態系統。龍芯等中國廠商需要在驅動開發、開發工具鏈和應用軟件適配方面投入更多資源」。目前龍芯已規劃 9A2000 和 9A3000 等後續產品，其中 9A2000 預計於 2027 年推出，效能可達 NVIDIA RTX 2080 水準，整體效能較 9A1000 提升 8 至 10 倍。

全球競爭格局下的戰略意義與市場前景

從全球半導體競爭角度來看，龍芯 9A1000 的推出具有重要戰略意義。根據 Grand View Research 數據，中國 GPU 即服務市場預計將從 2024 年的 2.72 億美元（約港幣 HK21.2億元）增長至2030年的10.1億美元（約港幣HK78.8 億元），年複合增長率達 25.8%。這一增長趨勢為龍芯等本土廠商提供了廣闊的市場空間。

然而國際競爭環境的複雜性不容忽視。NVIDIA 在中國 AI 晶片市場的佔有率預計將從 2024 年的 66% 下降至 2025 年的 54%，但這主要由於供應鏈限制而非技術競爭。華為海思、寒武紀科技等中國廠商正積極搶佔市場佔有率，形成了多元化的競爭格局。香港科技大學電子工程系教授李世瑋認為，「中國 GPU 產業的發展將推動全球半導體產業鏈的重新配置，但真正形成技術優勢仍需 5 至 10 年時間」。

龍芯 9A1000 的成功研發標誌著中國 GPU 產業從無到有的重要轉折點。雖然技術規格相對保守，但其在 AI 加速和特定應用場景下的優勢為未來發展奠定了基礎。隨著軟件生態系統的逐步完善和後續產品的推出，中國 GPU 產業有望在全球市場中佔據一席之地。企業決策者應密切關注這一技術趨勢的發展，思考如何在供應鏈多元化和技術自主化的大趨勢下制定相應策略。

資料來源：
Tom’s Hardware
NotebookCheck
Grand View Research

龍芯中科發布首款自主研發 GPGPU 晶片 9A1000，圖形效能對標入門級產品，但具備 40 TOPS 的 AI 運算能力，標誌中國 GPU 產業邁向新里程碑。雖然面對軟件生態系統的挑戰，但在美國出口限制下，此舉突顯了技術自主的迫切性。企業決策者應關注這趨勢，以應對全球半導體供應鏈的變化。

【建議分類】
IT 基建,人工智能,微電子業

【建議 Tags】
龍芯,9A1000,GPU,AI,晶片