EUV

中國初創企業朗道燧岩展示自主研發的 EUV 光源原型機，聲稱約 90% 零件實現本土化，輸出功率超過 15W，並可連續運作逾 100 小時。公司預計光源技術商業化仍需 3 至 5 年，但目前功率與先進晶片量產需求存在明顯差距，亦未完成整套 EUV 光刻機所需的光學及精密定位系統整合。這項進展反映中國半導體設備國產化持續推進，惟尚未足以直接挑戰 ASML 的商用設備。

ASML 宣佈 1,000 瓦 EUV 光源研發取得重大突破，預計 2030 年前將晶圓產能提升 50% 並降低三分之一成本。本文深入解析此項創新對 TSMC、Intel 等巨頭的戰略影響，並對比美國新創與中國自主研發的競爭現況，助決策者掌握半導體核心供應鏈走勢。

日本 DNP 成功開發 10nm 納米壓印技術，劍指 1.4nm 先進製程，耗電量僅為傳統光刻十分之一。這項技術能否挑戰 ASML 壟斷地位，成為半導體製造的新選擇？本文深入分析其成本優勢與量產挑戰。