中國半導體初創企業朗道燧岩（Langdao Silex）近日於上海舉行的第 26 屆中國國際工業博覽會，展示自主研發的極紫外光（EUV）光源原型機 FlintNano LPP-OXXO。公司聲稱設備約 90% 零件實現本土化，EUV 輸出功率超過 15W，並具備連續運作超過 100 小時的能力。不過公司預計，光源技術距離商業化量產仍需 3 至 5 年，而研發成功亦不代表中國已掌握完整 EUV 光刻機技術。
採用與 ASML 相同技術路線 輸出功率超過 15W
朗道燧岩於 2024 年成立，研發團隊與清華大學氣體放電及等離子體實驗室有關，專注開發半導體曝光設備所需的 EUV 光源。公司選用雷射產生電漿（Laser Produced Plasma，LPP）技術，與荷蘭 ASML 現有商用 EUV 設備採用的基本光源技術路線相同。LPP 技術透過高功率雷射照射微小金屬液滴，產生高溫電漿，再釋放波長約 13.5nm 的極紫外光。晶片製造商利用這種波長極短的光線，將精細電路圖案轉移至晶圓表面，是現代先進半導體製程的重要技術。
根據公司公布的規格，FlintNano LPP-OXXO 配備 1,000W 驅動雷射，重複頻率介乎 1kHz 至 20kHz，能量轉換效率超過 2%，EUV 輸出功率達 15W 以上。設備產生的電漿直徑約 60 微米，電漿穩定度為 3% RMS，EUV 輸出功率穩定度約 5%。公司亦聲稱設備能夠連續運作超過 100 小時，目前性能可支援晶圓曝光實驗。不過上述數據主要來自企業公布的技術規格，尚未有足夠獨立測試資料確認其長時間運作表現。
國產化率達 90% 仍未達先進晶片量產要求
據《南華早報》引述中國傳媒報道，朗道燧岩表示原型機約 90% 零件已實現本土化，大部分核心零件亦由公司自主研發。這項進展反映中國企業正嘗試建立本地 EUV 關鍵零件供應鏈，減少對海外設備技術的依賴。不過 90% 屬於企業公布的零件國產化比例，現有資料未清楚交代計算方法，因此不能直接理解為整套設備有 90% 技術完全自主可控。
更重要的是，原型機現時只有超過 15W 的 EUV 輸出功率，與商業化先進晶片生產所需的數百瓦級光源仍有明顯距離。ASML 早年已在商用 EUV 設備採用 250W 級光源，以滿足晶圓廠對產能及曝光速度的要求。另一方面，朗道燧岩公布的 15W 數據，尚未清楚證明是否與 ASML 在相同光學量測位置取得。EUV 光線在收集及傳輸過程中會出現損耗，因此不能單純比較兩個功率數字，就判定實際晶圓曝光性能差距。
完整光刻機仍有技術門檻 ASML 優勢未受直接威脅
EUV 光源雖然被視為光刻機的核心零件，但一部可以投入商業生產的 EUV 設備，還需要極高精度的反射光學系統、晶圓定位平台、光罩系統、污染控制及多個子系統整合。當中任何一環未能達到要求，都可能影響曝光精度、良率及產能。中國晶片製造商目前無法向 ASML 採購 EUV 光刻機，主要依靠深紫外光（DUV）設備配合多重曝光技術，生產部分先進製程晶片。這種方式雖然可以突破部分製程限制，但同時增加曝光步驟及製造複雜程度。
朗道燧岩目前公布的時間表，是預計再經過 3 至 5 年研發及改進，才有望推動 EUV 光源商業化量產。這並非完整 EUV 光刻機的交付時間，亦未有資料證明相關光源已經完成與量產級晶圓曝光設備整合。對中國半導體設備供應鏈而言，今次成果顯示本土企業正在推進 EUV 光源研發，但能否擴大輸出功率、維持長期穩定運作，以及配合其他高精度零件組成完整系統，仍是技術進入晶圓廠前必須克服的問題。
