AI 需求狂潮引爆全球閃存市場，特定產品現貨價格在 7 個月內暴漲逾 5.5 倍，多個電子產業鏈廠商已瀕臨生死邊緣。但隨着以長江存儲（YMTC）為首的國產閃存產能加速釋放，這場前所未有的漲價風暴，或許正迎來轉折點。
AI 推理需求爆發 閃存漲價的結構性根源
這一輪閃存漲價的根源，在於生成式 AI 從訓練階段全面轉入大規模推理應用。根據 TrendForce 集邦咨詢 2026 年 1 月發佈的報告，NAND Flash 合約價格 2026 年第一季漲幅預測已達 55% 至 60%，第二季預估進一步攀升至 70% 至 75%，漲勢有望延續至 2027 年。研究機構 Counterpoint 同時確認，NAND 閃存價格單季漲幅預計超過 40%。
AI 需求對閃存的吸力，主要來自 RAG（檢索增強生成）技術大規模落地。IO 資本創始合夥人趙占祥向《21 世紀經濟報道》指出：「閃存漲價主要還是 AI 需求量太大——AI 推理以及最新一代 AI 大模型，傾向在推理過程中同步進行部分訓練，雙雙帶動閃存需求。」更關鍵的是，傳統硬碟（HDD）出現結構性缺貨，導致大批雲端服務商（CSP）將訂單轉向 QLC 企業級 SSD，進一步加劇閃存供需失衡。2026 年第一季，全球前五大 NAND Flash 品牌合計營收突破 389 億美元，較上季大幅增長 83.7%。
長江存儲三期提速 產能反轉號角吹響
面對天價閃存，市場最大希望落在長江存儲（YMTC）武漢三期工廠的提速量產。武漢三廠於 2025 年 9 月才動工，按常規半導體建廠週期，外界原估需等到 2027 年；然而最新消息確認，三期已採取「前所未有」的快速建設策略，提前至 2026 年下半年量產，比原計劃提早一年。一旦三期全面投產，長江存儲 NAND Flash 產量預計將超越 SK 海力士，躍居全球第三，僅次於鎧俠（Kioxia）和三星電子。
長江存儲的底氣來自技術突破。儘管持續面臨美國實體清單制裁，YMTC 仍透過第五代 Xtacking 4.0 技術實現 294 層堆疊量產，儲存密度達每平方毫米 20Gb，讀寫速度超過 7,000MB/s，良率已突破 90%。據最新市場數據，其 2025 年第三季全球 NAND Flash 出貨市佔率攀升至 13%，首度突破雙位數。路透社引述知情人士報道，長江存儲計劃在 2026 年三期建成之外，再額外規劃兩座工廠，三廠全面投產後每座月產能均可達 10 萬片晶圓，總產能將翻逾一倍。
三星與長江同步擴產 市場解讀分歧
長江存儲並非唯一加碼的玩家。韓國三星電子亦已重啟對平澤廠的閃存投資，中韓兩大廠同步擴充 NAND 產能的訊號，令市場對供需結構轉變充滿期待。然而業界對此解讀存在明顯分歧。部分分析師認為，新產能從動工到穩定出貨仍需 12 至 18 個月的爬坡期，短期內難以實質緩解 2026 年全年的供需吃緊。
TrendForce 最新研究更明確指出，2026 年主要 NAND Flash 原廠幾乎無新增產能，在 AI 需求持續強勁下，預期全年供給短缺，200 層以上高層數產品也將在年底成為市場主流。2026 年整體記憶體供應商資本支出合計達 835 億美元，年增 11.6% — 投資力度強勁，但技術升級的優先程度已超越純粹的產能競賽。
供需角力的歷史拐點
回顧這一輪漲價週期：512Gb TLC 晶圓現貨價格在過去 7 個月內飆漲逾 5.5 倍，而三星電子率先於 2026 年 1 月大幅上調 NAND Flash 合約價，引爆市場漲價預期。此後多家研究機構接連上調價格預測，形成共振效應。TrendForce 分析認為，此次閃存需求爆發屬於「結構性短缺」，而非短暫波動——AI 對儲存容量的需求急速攀升，疊加 HDD 供應不足導致 CSP 轉單，兩者共同構成這輪漲價的深層邏輯。
值得留意的是，2025 年初閃存市場仍處於供過於求的困境，短短一年內從嚴重過剩翻轉為嚴重短缺。這種週期反轉之快，已超出多數機構的預測模型，再次印證 AI 這個外部變量對整個半導體供應鏈的顛覆性衝擊。
閃存週期重塑產業格局 漲價之後誰得誰失？
對整條電子產業鏈而言，閃存漲價猶如雙面刃。上游原廠如長江存儲、三星、鎧俠（Kioxia）獲利空間大幅提升，但中下游智慧型手機廠商、PC 品牌、消費電子組裝商則承受嚴峻成本壓力，部分中小型廠商已面臨現金流危機。摩根士丹利報告顯示，長江存儲計劃至 2027 年將月產能擴至 85,000 片晶圓，2028 年進一步達 10 萬片；同時，長鑫存儲（CXMT）的擴產節奏更為激進，三年內 DRAM 產能也將提升至同等規模。預計到 2028 年，國產存儲芯片全球市佔率有望提升至 20%。
資料來源：TechNews科技新報（TrendForce） 21世紀經濟報道 TechNews科技新報（YMTC擴廠） 新浪財經 經濟日報（威剛/NAND漲價）
