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業界消息

玻璃核心載板為何非用不可?台積電、英偉達聯手改寫半導體規則


專業技術人員檢查高效太陽能電池板的細節.

台積電於 2026 年 6 月在日本 JPCA Show 正式披露,與日本載板廠 Ibiden 及台灣群創合作,共同開發新一代「玻璃核心基板」(Glass Core Substrate)技術。業界普遍視 2026 年為玻璃基板商業化驗證元年,CoPoS 封裝量產時程預計落在 2028 年下半年,而玻璃核心基板獨立量產則估計 2030 年後逐步實現。

數據說話:玻璃基板的性能優勢

台積電公開披露的實測數據,為玻璃基板的技術價值提供量化依據。根據台積電與 Ibiden、群創聯合驗證結果,玻璃基板可使封裝翹曲改善 16%、熱膨脹係數降低 19%、彈性模量提升 31%,供電電阻和電感則分別大幅降低 27% 與 42%。

這組數字背後,隱藏著關鍵工藝壁壘——「穿玻璃通孔」(TGV,Through Glass Via)技術。郭明錤特別點出,整個玻璃核心基板技術體系中最難以複製的核心,在於玻璃通孔製作、銅填充及金屬化等高難度製程,目前由台積電與群創共同掌握。技術架構上,玻璃核心基板以玻璃層為核心,上下兩側各黏合一層 ABF 積層材料(採用味之素 GL107 混合材料),共形成 24 至 28 層多層結構;台積電的 CoPoS 封裝製程短期鎖定 310×310 毫米基板尺寸,預計 2026 年進行材料與設備商驗證。

英偉達為何非用不可:算力與良率的雙重驅動

郭明錤在分析中特別區分台積電 CoPoS 封裝架構中兩項技術的本質差異:「CoP」主要影響生產效率與成本,屬可選優化;而「oS」——即玻璃核心基板部分——直接決定 AI 晶片能否成功製造,是無可取代的結構性必需品。這一定性徹底扭轉市場對玻璃基板角色的認知。

從算力角度而言,玻璃基板使穿通孔的垂直導通路徑大幅縮短,導通電阻與回路電感同步下降,為晶片提供更穩定可靠的供電系統。TrendForce 研究指出,英偉達下一代 AI 晶片平台預計借助玻璃基板的卓越訊號完整性,將 AI 推理能力大幅躍升,以應對新世代 HBM4 的龐大頻寬需求。郭明錤更進一步點名,英偉達再下一代晶片「Feynman」極可能成為 CoPoS 技術的首批量產採用者。

成本邏輯:小額保費換取高額保障

儘管玻璃基板單價遠高於傳統 ABF 基板,但其成本在 AI 晶片整體物料清單(BOM)中僅佔低個位數百分比,卻能顯著降低封裝不良導致的良率損失,整體經濟效益依然正向。換言之,玻璃基板的定位如同一筆划算的「保險費」:以小幅成本增加,換取更高良率與更穩定的量產能力。

郭明錤從台積電角度補充指出,玻璃核心載板可同時提升良率並降低成本,進而提高 AI 晶片的整體算力表現與成品售價,對台積電而言既是「降本工具」,也是「議價籌碼」,對獲利能力與長期競爭力均形成雙重加分。除英偉達外,目前已有兩家不具名美系晶片客戶亦對台積電新技術表達高度興趣,顯示需求方不局限於單一廠商。

產業生態:2026 年成驗證元年

2026 年是玻璃基板從實驗室走向產業化的關鍵轉折年。台積電的 CoPoS 中試生產線已於 2026 年初開始建置,預計今年中全面完成試產線架設。根據 TrendForce 分析,台積電的技術路線分兩階段推進:短期聚焦 CoPoS 面板級封裝,預計 2027 年進入試產、2028 年下半年正式量產;長期布局重點則轉向玻璃核心基板,獨立量產時程估計落在 2030 年後。

值得注意的是,台積電並非唯一布局玻璃基板的巨頭。英特爾在這一技術上已深耕十年以上,具備大規模生產能力,並計劃於 2028 年前後將玻璃基板作為補強技術正式導入。隨著輝達宣布斥資入股英特爾,雙方的玻璃基板合作走向更備受業界矚目,直接帶動台灣鈦昇、群翊等封裝材料廠商受惠。

翻轉格局:台積電的封裝長期戰略

玻璃核心基板技術對整個半導體封裝格局的長遠影響,或許遠不止於 AI 晶片本身。台積電此舉的終極目標,是以玻璃基板全面取代現有矽中介層(Silicon Interposer),從根本上解決 AI 晶片客戶龐大需求與產能瓶頸之間的結構性矛盾。隨著 AI 算力需求進入指數級增長的新階段,晶片封裝技術的重要性已不亞於製程節點的迭代演進。

 

資料來源:風傳媒 | NOWnews 今日新聞 | 鉅亨網(郭明錤研究報告)

 

Tags : AI 晶片半導體封裝台積電玻璃基板英偉達
Pierce

The author Pierce

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