三星電子 2025 年資本支出與研發投入合共 89.9 萬億韓元（約 592 億美元），其中資本支出 52.2 萬億韓元、研發 37.7 萬億韓元，成為全球十大半導體公司中投資規模最大的企業。這項由企業追蹤機構 CEO Score 彙整的行業數據於 2026 年 6 月 9 日（星期三）公布，距離三星開始出貨業界首個 HBM4E 晶片僅約 10 天。
三星半導體投資規模與策略佈局全面拆解
三星電子去年的投資規模遠遠拋離競爭對手。研發支出全球第一，比第二名 Nvidia 高出超過 10 萬億韓元，總投資額亦遠超第二名台積電的 69.4 萬億韓元。資本支出主要分配至器件解決方案部門（包含半導體業務），達 40.9 萬億韓元，反映公司聚焦半導體先進製程轉型、12 層 HBM4E 生產線升級與 AI 晶片基礎設施建設。業界人士指出，三星在半導體行業多年前低迷時期仍積極投資，為 2024 年開始加速的行業復甦奠定基礎。CEO Score 強調，半導體行業需要持續大規模投資才能維持技術領先地位，這解釋了三星為何在 2026 年進一步將投資提升至 110 萬億韓元（733 億美元），較 2025 年增加 21.7%。
專家分析：HBM 市場競爭與 Nvidia 認證成關鍵
Counterpoint Research 研究總監 MS Hwang 明確表示：「三星 2025 年的成敗取決於 Nvidia 對其 HBM 技術的認證。」分析師進一步指出，三星在 HBM（高頻寬記憶體）領域長期落後於競爭對手 SK 海力士，主要原因正是投資不足。然而，三星於 2026 年 5 月 28 日宣布開始向全球客戶出貨業界首個 12 層 HBM4E 晶片樣品，性能較 HBM4 提升超過 20%，傳輸速度達 14Gbps，最高可擴展至 16Gbps。這款 48GB 容量的 HBM4E 比前一代增加逾 30%，並計劃擴展到 32GB（8 層）和 64GB（16 層）配置，目標是獲得 Nvidia 認證後成為 AI 加速器關鍵部件供應商。
DIGITIMES 資深分析師 Luke Lin 認為：「三星率先供應 HBM4E，將使它在下一代市場中搶佔先機，縮窄與 SK 海力士的差距。」
從低迷到復甦：三星半導體五年發展時間軸
三星半導體部門於 2024 年 1 月開始恢復盈利，但共同行政總裁韓宗熙在 2025 年 3 月股東大會上，為股價未達預期向股東道歉，並承諾推動有意義的半導體併購。社長慶桂顯當時承諾「半導體部門一定會在 2 到 3 年內奪回全球市佔第一」，並證實正在開發大型語言模型（LLM）用的 AI 晶片 MACH-1，預計 2025 年初公開。
2025 年總投資額達 89.9 萬億韓元，2026 年再增加 21.7%，顯示三星急欲追趕甚至超越競爭對手。與此同時，SK 海力士宣稱要在 HBM4 市場保持「主導地位」，並目標實現與目前 HBM3E 相當的生產良率，雙方競爭持續升溫。2024 年三星曾蒸發 1,620 億美元市值，這更激發了 2025 至 2026 年的大規模投資反攻策略。
AI 晶片競賽白熱化 對三星及行業的未來影響
隨着 AI 競賽白熱化，三星持續強化研發與資本支出，2026 年計劃投資逾 733 億美元，創公司史上最大年度支出。這項策略對企業的影響在於：三星若成功獲得 Nvidia 認證，將有望縮窄與 SK 海力士在 AI 加速器關鍵部件供應上的差距，甚至可能重新奪下半導體市佔冠軍。
資料來源：
cnBeta
Yonhap News
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Korea Times
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