ASML 與光學夥伴蔡司（Carl Zeiss）的工程師，在同行評審論文中提出下一代 EUV 光刻機 Hyper NA，預計約十年後才可能就緒。ASML 已展開研發，但尚未承諾量產。這部機器的目標是印製約 5 納米的特徵尺寸，比現有 High NA 縮小逾三分之一。
技術重點：數值孔徑升到 0.75，大部分技術沿用
論文把數值孔徑（NA）由 High NA 的 0.55 提升至至少 0.75。數值愈高，光學系統愈能聚焦光線，印出的線路也愈細。論文估計，設備體積只會比現時相當於雙層巴士的 High NA 設備略大。最大的賣點是沿用既有技術。現有 13.5 納米 EUV 光源可以原樣重複使用，蔡司也已有能力製造精度足夠的反射鏡。光罩的最大入射角只增加約一度，現有光罩基礎設施幾乎不用改動。
這份論文是技術路線圖，並非產品發布。ASML 沒有公布售價、客戶訂單或量產時間表。5 納米指光刻解像度，並不等於晶片製程節點，ASML 資料顯示 High NA 現時可達 8 納米解像度。
市場反應：股價小升，估值與競爭觀點分歧
資本市場反應平淡。GuruFocus 指 ASML 美股在 10 月 8 日上升約 1.3%，報 1,828.35 美元，其後在 10 月 9 日再升約 1%。該分析又指，股價較其估算的 GF Value 約 1,270 美元高出 40.5%，意味市場已預先反映大量增長預期。ASML 將於 10 月 14 日公布季度業績，是下一個觀察點。
賣方分析師對 ASML 的競爭地位仍然樂觀。今年 7 月中國 DUV 光刻機量產消息令股價急跌時，美銀證券分析師 Didier Scemama 認為威脅有限，並維持 2,452 歐元目標價，理由是上海微電子（SMEE）尚未展示 28 納米或以下的大規模量產能力。StockAnalysis 引述 42 位分析師的平均評級為「強力買入」，12 個月目標價 2,099.26 美元。
三種看法的分別在於時間尺度。技術派看好路線圖，估值派擔心回報太遠，競爭分析則認為 ASML 的優勢短期難被撼動。
背景脈絡：從 High NA 到 Hyper NA
ASML 在 2024 年 5 月把 Hyper NA 列入官方路線圖。前技術總監 Martin van den Brink 在此前數月曾表示，0.7 以上的數值孔徑「約由 2030 年起會更明顯成為機會」。論文估計的十年，是作者按蔡司歷代光學系統的解像度曲線外推而來，但該曲線自約 2010 年起趨平，所以推算仍有不確定性。
High NA 的落地進度可作參考。Intel 已把 High NA 用於生產，並表示累計處理超過 100 萬片晶圓。Samsung 與 SK Hynix 計劃 2028 年採用，TSMC 則計劃 2030 年起使用。
Hyper NA 之後若要再提升解像度，設備很可能要改用更短波長的光，例如約 6.7 納米或「水窗」波段，但這些仍屬學術研究。另一邊，Canon 的納米壓印是少數可行的替代技術，但目前每小時只能處理 80 至 100 片晶圓，最小線寬為 14 納米，定位與 EUV 不同。
對企業的影響與未來趨勢
對晶片製造商和 AI 硬件買家來說，Hyper NA 短期不會改變採購計劃，真正的考驗是 High NA 能否在 2028 至 2030 年順利量產。Hyper NA 的意義，是向客戶表明 EUV 路線在 2030 年代仍有微縮空間。成本是潛在障礙。Tom’s Hardware 引述 TrendForce 估算，Hyper NA 單機造價約 7.2 億美元，客戶是否願意買單仍是未知數。
資料來源： inside
