韓國政府正式宣佈，在「超創新經濟主導方案」（Ultra-Innovation Economy Project）框架下，投入約 5,000 億韓元（約 3.29 億美元）研發及量產新一代功率半導體，目標是將此領域培育成媲美 DRAM 記憶體的「金牛」產業。相關路線圖討論會議由韓國副總理兼企劃財政部長官具允喆親自主持，各方就前沿功率半導體的商業化時間表與推進路徑展開跨部門磋商。
AI 數據中心燃爆需求
全球 AI 基礎設施建設進入爆發期，功率半導體的戰略地位被業界公認「無可替代」。AI 算力集群對供電穩定性和能效要求極高，功率器件承擔電源轉換、功率管理和電網穩定等核心職能，是保障數據中心長時間高負載運行的基礎支柱。
從市場規模來看，美銀證券估算，AI 模擬半導體可尋址市場將從 2025 年的 79 億美元擴大至 2030 年的 270 億美元，複合年增長率高達28%。英飛凌（Infineon）亦確認，目前每個 AI 伺服器機櫃配置的功率半導體價值約 1.2 至 1.4 萬歐元，下一代機櫃預計突破 10 萬歐元，需求增長超過七倍。受此帶動，英飛凌已於 2026 年初和 4 月兩度調漲功率元件價格 5%至 15%，德州儀器、Vishay 等國際大廠亦相繼跟漲，整個行業供需結構出現根本性扭轉。
韓國的 AI 數據中心佈局同步加速。OpenAI、三星電子與 SK 海力士據悉計劃於 2026 年在韓國建設新型AI數據中心，初始合計裝機容量估計約達20MW，配套功率半導體需求將為本土供應商提供關鍵驗證平台。英偉達（NVIDIA）亦於 2026年 6月與 SK海力士、Naver 及斗山（Doosan）簽署合作協議，共同開發 AI 工廠及相關半導體基礎設施，進一步拉動韓國本土功率元件的需求曲線。
SiC 與 GaN：技術突圍雙引擎
本次規劃明確將碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料鎖定為技術突破口。相比傳統矽基器件，這類寬能隙（Wide Bandgap）材料在高溫、高壓和高頻環境下性能更為出色，廣泛適用於電動車、電網設備、工業驅動、航空航天及高端國防裝備等場景。本次計劃同時覆蓋能源、交通和國防等廣泛應用領域，定位不限於AI數據中心單一垂直市場，顯示韓國意圖以功率半導體作為跨行業基礎設施的戰略佈局。
在產業落地層面，韓國廠商正積極搶跑。SK Keyfoundry 已於 2026年上半年啟動SiC功率半導體代工業務，旗艦產品為面向汽車和工業高壓應用的1,200 伏 SiC MOSFET 製程。DB HiTek 則完成了 650 伏 GaN 製程開發，向無晶圓廠設計公司供應 GaN多項目晶圓（MPW），同時擴建無塵室，預計每月 8吋晶圓產能將提升約 23%。釜山市更於 2025年 9月落成韓國首座 8吋 SiC 功率半導體工廠，由 EYEQ Lab 投資 1,000億韓元建設，全面量產後年產能預計達 3萬片晶圓。
供應鏈短板倒逼國家出手
儘管三星電子和 SK海力士在 DRAM記憶體領域長年稱霸全球，韓國在功率半導體方面對海外供應商的依賴度仍居高不下。政府研判，一旦這個結構性短板遲遲未能補上，將在未來產業競爭和供應鏈安全中演變為不可承受的系統性風險，選擇以大規模研發支持和政策引導推動本土產業鏈快速切入。
韓國政府的應對策略是採用「材料—器件—模組—系統驗證」四位一體推進模式，在同一項目周期內完成關鍵材料開發、器件設計製造、模組整合及實際場景示範，大幅壓縮從實驗室到量產的時間差。此前，政府已規劃在 5年內將 SiC功率半導體技術自給率從現有的 10%提升至 20%（目標年份：2030年）；而本次 5,000億韓元計劃落地，顯示政策推進力度已全面升級。TrendForce指出，韓國整體半導體產業的公私合計投資計劃規模高達 700兆韓元（約 5,340億美元），功率半導體是這場大佈局中的重點環節之一。
三星入局 全球競局重塑
三星電子亦在功率半導體賽道加速佈局。三星 CSS業務團隊副總裁洪錫俊於 2025年 9月公開確認，三星正強化 8吋 SiC功率半導體研發投入，並與政府的大規模支持計劃形成協同效應。這與 SK海力士積極拓展 HBM以外業務版圖的策略高度契合——雙巨頭同步佈局，意味着韓國功率半導體產業鏈正從政策驅動轉向市場競爭驅動的新階段。
從全球視角審視，英飛凌、意法半導體（STMicroelectronics）和羅姆（ROHM）等歐日玩家此前長期主導全球功率半導體市場，美國亦在軍工與航空領域持有關鍵技術壁壘。韓國以國家隊姿態入場，加上三星和 SK 海力士的製造規模優勢，無疑將重塑這個千億美元級市場的競爭格局，業界將密切注視首批技術自主化成果能否如期兌現。
下一個 DRAM 能否再造？
隨着 AI 基礎設施建設進入新一輪加速周期，功率半導體正從配角躍升為支撐全球算力擴張的隱形基石。韓國以超過3億美元的政府資金為槓桿，試圖在存儲芯片之外再鑄一根具有長周期需求的「新支柱產業」。然而，從實驗室技術到規模量產，SiC 和 GaN 器件的良率提升、成本管控與生態系統建立，仍是橫亙在韓國產業面前的現實挑戰。
富士經濟預估，全球功率半導體市場將從 2025年的 3.755萬億日圓，擴大至 2035年的 7.35萬億日圓，接近翻倍；其中 SiC、GaN 等次世代功率半導體屆時市場規模將達 2.5 萬億日圓，是現在的約 4 倍。「韓國能否在功率半導體複製 DRAM 的成功」，將成為未來數年全球半導體業最值得持續追蹤的關鍵命題。
資料來源：BigGo財經 TrendForce Power Electronics News SemiMedia 先探投資週刊
