荷蘭半導體設備龍頭 ASML 於 2026 年 2 月下旬在其加州研發設施，向 Reuters 獨家披露里程碑式成果：旗下 EUV 光刻機光源功率成功提升至 1,000 瓦，較現行 600 瓦提高 67%。這項突破預計令每小時晶圓產能由 220 片增至 330 片，漲幅達 50%，目標在 2030 年前實現商業化量產應用。這不單是工程數字躍升，更意味每片晶片生產成本將壓低約三分之一，對全球正處爆炸性增長的 AI 晶片需求具有深遠產業意義。
文章將深入解析三大關鍵問題：ASML 如何實現 1,000 瓦光源？TSMC、Intel 與 Samsung 如何各自因應？美國新創公司與中國的追趕之路有多遠？
雙重創新解鎖 1,000 瓦
理解這次突破，必須先了解 EUV 光源運作原理。ASML 光刻機透過將熔融錫液滴噴射至密封腔體，再以高功率二氧化碳雷射將其加熱成高溫等離子體，產生波長 13.5 奈米的極紫外光。這些等離子體溫度比太陽表面更高，釋放的 EUV 光經由德國 Zeiss 公司提供的精密光學系統捕獲，最終回傳至機台用以在晶圓上蝕刻電路圖案。
此次突破核心在於兩項同步創新：其一，將錫液滴發射頻率從原有每秒約 5 萬個加倍至 10 萬個；其二，由兩道較小雷射脈衝取代現有系統單一雷射脈衝，對錫液滴進行等離子體整形，從而讓單位時間內產生更多能量更強的極紫外光。功率提升後，光刻機對晶圓曝光時間縮短，每小時可處理更多晶圓，直接攤薄每片晶片製造成本。
ASML 首席 EUV 光源技術專家 Michael Purvis 強調，此次 1,000 瓦已非紙上談兵：「這不是雜耍或短暫演示。這是一套能在客戶實際生產條件下，持續穩定輸出 1,000 瓦的系統。」Colorado State University 物理教授 Jorge J. Rocca 亦表示：「能夠達到 1,000 瓦，這相當了不起。」Rocca 教授研究室曾為 ASML 培訓多位科學家，深知此項目難度極高。
TSMC、Intel、Samsung 各懷算盤
ASML 技術突破並非孤立事件，三大晶片製造商早已圍繞 EUV 技術部署各走不同路線。
TSMC 目前主力深耕低數值孔徑 EUV 路線，其 2 奈米製程（N2）已進入量產，首批客戶涵蓋 Nvidia、Apple、AMD 及 Qualcomm 等 AI 大廠。ASML 行政總裁 Christophe Fouquet 在 2025 年第四季業績電話會議指出：「AI 加速器正從 4 奈米節點遷移至光刻密度更高的 3 奈米節點，同時客戶也持續量產 2 奈米。」TSMC 目前暫無計劃在 A14 節點之前大規模部署高數值孔徑 EUV，廣泛應用預計要到 2030 年前後。
Intel 則押重注於高數值孔徑 EUV 路線，已正式通過驗收首台 Twinscan EXE:5200B 高數值孔徑掃描機，並計劃將其用於旗艦級先進製程節點量產。相比之下，Samsung 同樣已取得 EXE:5200B 系統，計劃用於 2 奈米晶圓代工線生產爬坡。
在升級路徑方面，ASML 透過「生產力強化套件」（PEP）讓客戶毋須整機替換即可改良機台。然而需要注意，舊型 NXE:3400C/D 機台因散熱限制，無法支援 1,000 瓦光源，此次升級主要面向較新 NXE:3800E 系列及高數值孔徑 EXE:5000/5200 平台。NXE:3800E 每台售價約 2.35 億美元（約港幣 18.33 億元），EXE:5200B 高數值孔徑系統售價則約達 3.8 億美元（約港幣 29.64 億元）。
路線圖：從 1,000 瓦到 1,500 瓦、甚至 2,000 瓦
ASML 雄心並不止步於 1,000 瓦。Purvis 明確表示，研究團隊已找到通往 1,500 瓦「清晰技術路徑」，且「沒有根本性障礙阻止達到 2,000 瓦」。若實現 2,000 瓦，對應每小時晶圓產能有望突破 450 片，半導體製造規模效益將再度大幅躍進。ASML 執行副總裁 Teun van Gogh 亦強調：「期望能確保客戶以更低成本持續使用 EUV 技術。」
財務表現同樣印證技術擴張信心。ASML 2025 年第四季度營收達 114 億美元（約港幣 889.2 億元），毛利率逾 52%，淨利潤 33 億美元（約港幣 257.4 億元），全年受 AI 晶片需求爆炸式推動。ASML 股價年初至今累計增長約 26%，突破消息公布後一度觸及 52 周新高 1,493 美元，市值約達 5,700 億美元（約港幣 4.45 兆元）。Fouquet 表示：「過去幾個月再次確認，AI 對客戶先進產品需求、尤其是 EUV 系統需求，已產生顯著正面影響。」
美國新創與中國：兩條截然不同的挑戰之路
ASML 此次對外披露突破時機，與正面對兩條不同路線競爭挑戰有關。Reuters 獨家報導指出，至少兩家美國新創公司已各自籌集數億美元資金，試圖開發 ASML 的美國替代技術。
Substrate 獲得 Peter Thiel 旗下 Founders Fund 及與美國 CIA 相關 In-Q-Tel 背書，於 2025 年 10 月以 100 億港元估值完成 1 億美元（約港幣 7.8 億元）融資，正研發以粒子加速器驅動的 X 光光刻技術。該公司號稱可將先進晶圓每片生產成本從約 10 萬美元（約港幣 78 萬元）壓縮至 1 萬美元（約港幣 7.8 萬元）以下，計劃 2028 年啟動晶片試產。xLight 則獲得美國政府資金支援，研發兼容現有 ASML 掃描機的粒子加速器 EUV 光源，試圖在不顛覆現有機台前提下切入市場。
中國方面，由於美荷兩國政府持續收緊 EUV 出口管制，北京已啟動國家級自主研發計畫。然而根據 TechZine 技術分析，中國目前 EUV 研發進度大致相當於 ASML 在 2001 至 2010 年間早期探索階段。ASML 從第一台原型機到首台商業系統交付 TSMC 歷時近十年，且當時面臨工程難度遠低於現在。ASML 每一次技術跨越，客觀上都在加大這道難以逾越的技術鴻溝。
成本重塑，晶片產業進入新週期
ASML 此次 1,000 瓦 EUV 光源突破，代表先進晶片製造效率進入全新維度。每片晶圓成本降低三分之一，加上 AI 算力需求持續爆炸式增長，將為 TSMC、Intel 與 Samsung 提供強大擴產誘因，並間接令 AI 伺服器、智能電話及自動駕駛等終端應用晶片更具競爭力。然而從實驗室到量產車間，仍需克服光刻膠兼容性、晶圓散熱及整條供應鏈協同升級等系列工程挑戰。當 Substrate 與 xLight 宣稱要將每片先進晶圓成本壓低九成，ASML 技術領先能否在本十年末繼續轉化為不可替代商業護城河，將是整個半導體產業最值得關注核心命題。
資料來源：Reuters | Fintool | TrendForce | TechZine | TrendForce High-NA EUV