SoftBank 旗下全資子公司 Saimemory 於 2026 年 2 月 2 日與美國晶片製造商 Intel 正式簽署合作協議，共同推進名為「Z-Angle Memory」（簡稱 ZAM）的新一代記憶體技術商業化計劃，目標是在 2029 財政年度實現量產，為全球人工智能（AI）基建提供更高容量、更高頻寬及更低功耗的記憶體解決方案。
技術源自美國能源部研發項目
SoftBank 與 Intel 是次合作的核心技術基礎，源自 Intel 參與美國能源部旗下「先進記憶體技術計劃」（Advanced Memory Technology Program，簡稱 AMT）所研發的成果。該計劃由美國國家核安全管理局透過 Sandia 國家實驗室、Lawrence Livermore 國家實驗室及 Los Alamos 國家實驗室共同管理。Intel 在計劃中主力發展「新一代 DRAM 晶片堆疊技術」（Next Generation DRAM Bonding，簡稱 NGDB），透過創新的晶片堆疊及互連方式，大幅提升動態隨機存取記憶體（DRAM）的效能表現，同時降低耗電量及生產成本。
Saimemory 於 2024 年 12 月成立，定位為 SoftBank 推動新一代記憶體技術商業化的專責子公司。根據合作協議內容，Saimemory 將運用 Intel 的 NGDB 技術及相關專利，研發適用於 AI 數據中心的高效能記憶體產品，計劃於 2028 年 3 月底前（即 2027 財政年度）完成原型產品製作，並於 2029 財政年度正式投入商業量產。
Intel 政府技術部門技術總監兼 Intel Fellow Dr. Joshua Fryman 指出，現有的標準記憶體架構已無法滿足 AI 運算的需求，Intel 因此開發出全新的記憶體架構及組裝方式，期望能提升 DRAM 效能表現之餘降低耗電量及成本，預計這項技術將於未來 10 年內獲得更廣泛應用。
合作夥伴陣容：東京大學及 Fujitsu 加入研發
據報道，SoftBank 與 Intel 的記憶體技術合作計劃除了 Saimemory 之外，還引入多間日本本土研究機構及企業參與。東京大學將提供相關專利技術，日本資訊科技設備及服務企業 Fujitsu 及日本理化學研究所（Riken National Research Institute）據報亦有參與其中。
報道指出，SoftBank 將向 Saimemory 注資 2,000 萬美元（約 1.56 億港元），Fujitsu 及日本理化學研究所則合共投入 700 萬美元（約港幣 HK$5,460 萬），日本政府預計亦會提供部分資助。在製造及原型開發方面，日本 Shinko Electric Industries 及台灣力晶積成電子製造（Powerchip Semiconductor）將參與協助。
Saimemory 的管理架構反映出各方的深度合作：SoftBank 負責財務營運，擔任財務總監角色；Intel 主導技術發展，擔任技術總監；東京大學科學家則出任科學總監。行政總裁一職由前 Toshiba 高層出任，公司營運預計於 2025 年 7 月 1 日正式展開。
AI 驅動全球記憶體供應鏈陷入危機
SoftBank 與 Intel 選擇在此時宣布記憶體技術合作，正值全球記憶體市場面臨前所未見的供應緊張局面。AI 基建急速擴張所帶動的高頻寬記憶體（High Bandwidth Memory，簡稱 HBM）需求，已令整個半導體供應鏈承受巨大壓力。
國際數據資訊公司 IDC 於 2025 年 12 月發表的市場分析報告指出，當前記憶體市場正處於「前所未有的轉捩點」，需求大幅超越供應能力。更重要的是，這並非單純的週期性供需失衡，而是全球矽晶圓產能出現「永久性戰略重新分配」的結構性轉變。過去數十年以來，DRAM 及 NAND Flash 記憶體的生產主要由智能手機及個人電腦市場推動，但這個格局已經徹底逆轉。Microsoft、Google、Meta 及 Amazon 等超大規模雲端服務商對 HBM 的龐大需求，迫使全球 3 大記憶體製造商 Samsung Electronics、SK Hynix 及 Micron Technology 將有限的無塵室空間及資本開支轉向利潤率更高的企業級元件生產。
市場研究機構 TrendForce 的分析師 Tom Hsu 向美國財經新聞頻道 CNBC 表示，2026 年首季 DRAM 記憶體平均價格預計將較 2025 年第 4 季上升 50% 至 55%，這種升幅對記憶體市場而言「史無前例」。
HBM 的生產特性是導致供應緊張的關鍵因素，TrendForce 的數據顯示，生產 1GB 的 HBM 記憶體所消耗的產能相當於 4GB 標準 DRAM，而新一代 GDDR7 記憶體則需要 1.7 倍產能。這種「倍數效應」意味著 AI 對製造產能的實際消耗遠超其所佔的記憶體出貨量比例。《Commercial Times》引述業界專家預測，全球 DRAM 產能預計於 2026 年達到 40EB，而 AI 相關應用的等效晶圓消耗量將佔總產出近 20%。由於 DRAM 年產能增長率僅限於 10% 至 15%，這將不可避免地擠壓標準 DRAM 產品（包括個人電腦、智能手機及伺服器 DDR5 記憶體）的供應，加劇短缺風險及價格上升壓力。
Nvidia 創辦人兼行政總裁黃仁勳於 2026 年 1 月在消費電子展 CES 記者會上回應記憶體短缺問題時承認，由於 Nvidia 對記憶體的需求極為龐大，所有記憶體供應商都在全力擴產，但現實是市場需要更多記憶體工廠才能滿足 AI 的需求。Micron 執行副總裁 Dinesh Bahal 亦向 CNBC 表示，以目前產能計算，Micron 最多只能滿足部分客戶中期記憶體需求的 3 分之 2。
ZAM 技術優勢：瞄準 HBM 市場痛點
Saimemory 的 ZAM 技術研發目標，正是針對現有 HBM 記憶體的主要痛點提出解決方案。根據 SoftBank 的官方聲明，ZAM 記憶體的設計目標是實現較現有尖端記憶體晶片高出 2 至 3 倍的儲存容量，同時將功耗降低一半，成本則維持在相若或更低水平。
現有 HBM 技術雖然能夠處理大量數據及提供 AI GPU 所需的高速運算能力，但其製造工序複雜導致成本高昂，而且耗電量偏高，這兩個缺點正正是 AI 數據中心營運商的主要成本負擔。SoftBank 與 Intel 的合作計劃期望透過創新的晶片堆疊及互連技術，在保持高頻寬及高容量的前提下大幅改善能源效率，為市場提供一個更具成本效益的替代選擇。
SoftBank 半導體發展部門主管在接受《TV Tokyo》訪問時對項目前景表示信心，指出市場對低功耗、低成本記憶體解決方案的需求強勁。被問及 Saimemory 未來是否會與日本本土晶片製造商 Rapidus 合作生產時，該發言人表示將視乎日後技術發展而定，但對雙方合作的可能性持樂觀態度。
能源危機：AI 數據中心耗電量成全球關注議題
ZAM 計劃強調能源效率，反映出業界對 AI 運算所需龐大電力消耗的日益關注，這個議題已成為影響 AI 基建擴張的關鍵制約因素。
國際能源署（IEA）於 2025 年 4 月發表的《能源與 AI》報告預測，全球數據中心的電力消耗將於 2026 年接近 1,050 太瓦時（TWh）。若以國家計算，這個電力消耗量將令數據中心躋身全球第 5 大「用電國」，僅次於日本及俄羅斯。雖然並非所有數據中心運算都涉及生成式 AI，但 AI 技術確實是推動電力需求上升的主要驅動力。
Deloitte 的研究報告指出，全球 AI 數據中心的年耗電量預計於 2026 年達到 90 TWh，約佔全球數據中心總耗電量 681 TWh 的 7 分之 1，較 2022 年水平增加約 10 倍。在美國市場，數據中心預計將佔 2026 年全國電力消耗量的 6%（即 260 TWh）。
《CNBC》於 2026 年 1 月的報道指出，數據中心項目已成為美國各地的政治爭議焦點，從左翼的 Bernie Sanders 參議員到右翼的 Florida 州長 Ron DeSantis 都對數據中心發展提出質疑，普通市民亦擔心這類項目對當地環境及電費的影響。美國最大電網營運商 PJM Interconnection（服務範圍覆蓋 13 個州、超過 6,500 萬人口）預測，其電網將於 2027 年出現 6 吉瓦（GW）的供電缺口。
以 Ohio 州 Granville 鎮的退休居民 Ken 及 Carol Apacki 為例，他們自 2020 年以來記錄每月電費，發現每千瓦時電價已由當時的 11 至 12 美仙上升至 2025 年的 19 美仙，升幅達 60%。能源經濟與金融分析研究所（Institute for Energy Economics and Financial Analysis）分析師 Cathy Kunkel 指出，這個地區的電價上升部分原因正是數據中心對電力的龐大需求，她認為按照現有機制，普通市民幾乎不可避免地要為全球最富有的科技產業提供補貼。
SoftBank 與 Intel 的深度合作關係
今次記憶體技術合作是 SoftBank 集團與 Intel 之間更廣泛合作關係的延伸。SoftBank 集團於 2025 年中宣布向 Intel 投資 20 億美元（約 156 億港元），這項投資反映出 SoftBank 對 Intel 在全球半導體及 AI 生態系統中地位的信心。
對 Intel 而言，與 SoftBank 的合作正值公司努力鞏固其晶片產品組合、在競爭激烈的 AI 硬件市場中重建動力的關鍵時期。競爭對手近年積極搶佔 AI 相關需求，尤其在數據中心加速器及記憶體解決方案領域。Citrini Research 分析師 Jukan Choe 指出，若 Intel 與 SoftBank 要真正撼動市場格局，很可能需要與現有 AI 晶片領導者（如 Nvidia）建立合作關係。
根據知情人士透露，SoftBank 計劃在未來 2 年內投入最多 30 億日圓（約港幣 HK$1.53 億）推進 Saimemory 項目，但整體研發成本尚未最終確定。
未來展望：記憶體技術將成 AI 發展關鍵變數
AI 驅動的記憶體短缺已永久性地重塑半導體市場格局，將記憶體由普通商品提升為戰略性資產。這為少數主要製造商創造了巨大機遇，但同時對無法在有限供應中競爭的行業構成重大威脅。
市場分析指出，2025 年至今的危機已證明 HBM 製造產能無法快速擴張。垂直堆疊 DRAM 晶片的工序顯著更為複雜，每位元所消耗的晶圓產能約為標準 DRAM 的 3 倍，形成物理性的生產瓶頸。Micron 及 SK Hynix 等主要生產商已宣布 2026 年的 HBM 產能全數售罄，進一步印證了這種製造瓶頸的存在。
在這個背景下，SoftBank 與 Intel 的 ZAM 技術合作代表了一種潛在的替代路徑。若 Saimemory 能夠如期於 2029 財政年度實現商業化，並成功達成較現有技術更高容量、更低功耗及更低成本的目標，將有機會為全球 AI 基建供應鏈提供一個急需的紓緩方案。
然而從 2026 年的時間點來看，Saimemory 的技術路線圖仍處於早期階段，2028 年的原型產品製作及 2029 年的商業化目標能否如期達成，將取決於多項技術及商業因素，包括與 Intel 的技術轉移進度、日本本土製造合作夥伴的配合，以及全球記憶體市場的競爭格局變化。
SoftBank 與 Intel 的合作清楚表明，在 AI 時代，記憶體技術的創新及供應鏈安全已成為全球科技產業及各國政府的核心戰略關注點，預計未來數年將有更多類似的跨國合作及大規模投資項目陸續出現。
來源： CNBC