全球唯一極紫外光（EUV）光刻機供應商 ASML 行政總裁 Christophe Fouquet 於 2025 年 12 月接受彭博社專訪時發出嚴厲警告，指出西方國家若持續收緊對華半導體設備出口管制，反會迫使中國在未來 5 至 10 年內實現光刻機技術自主，甚至向西方市場輸出設備，改寫全球半導體供應鏈版圖。
技術代差擴大與市場依賴加深之矛盾
ASML 目前僅獲准向中國出口特定舊款深紫外光（DUV）機型，技術較最新的高數值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV）落後八個世代，相當於 2013 年產品水平，技術差距逾十年。雖然如此，中國大陸 2024 年仍躍升為 ASML 全球最大單一市場，收入佔比超越傳統重鎮台灣。這種「技術封鎖與商業依存」並存現象，正是 Christophe Fouquet 憂慮的戰略風險核心。
荷蘭政府繼 2024 年 9 月禁止 ASML 為已售予中國客戶的 1970i 和 1980i 型浸潤式 DUV 設備提供維修、零件更換及軟件更新服務後，2025 年 1 月更宣布自 4 月 1 日起將出口管制範圍擴大至測量與檢測設備，指相關技術可結合其他國家技術生產先進晶片，應用於軍事領域。荷蘭外貿與發展部長 Reinette Klever 強調此舉旨在配合美國 2023 年 11 月的國家安全限制，但業內人士指出，失去維修能力將對中國半導體產能造成即時打擊。
中國光刻機自主化進程加速
面對西方持續升級的技術封鎖，中國國產光刻機發展取得關鍵突破。2025 年 1 月 7 日，上海微電子（SMEE）成功交付首台自主研發 28 納米 DUV 光刻機，套刻準確度達 1.9 納米，採用多重曝光技術突破製程限制。雖然與 ASML 的 3 納米 EUV 系統仍有顯著差距，但已能滿足佔全球晶片需求逾 70% 的成熟製程市場。
SMEE 於 2025 年 2 月拆分成立芯上微裝（AMIES），專責設備商業化。據《證券時報》報導，該公司已掌握國內光刻機市場約 90% 市場佔有率，600 系列光刻系統已在 90 納米節點量產，28 納米浸潤式機型亦在開發中。中國先進微電子設備公司（AMEC）董事長尹志堯於 2024 年底預測，中國半導體供應鏈可在「2025 年夏季達到基本自給自足」，雖然品質與可靠性仍有差距，但在數百家企業協同努力下，原本預期需 10 年的目標可能提前實現。
在頂尖技術領域，據報 Huawei 正於東莞廠區測試自主研發 EUV 光刻機關鍵組件，採用激光放電誘導等離子體（LDP）技術產生 13.5 納米波長光源，計劃於 2025 年第二季試產，2026 年全面量產。雖然 LDP 技術成本較 ASML 採用的激光產生等離子體（LPP）低，但產出功率較弱，且目前僅為光學干涉儀等單一組件，距離完整 EUV 掃描機仍有巨大差距。杭州市政府亦於 2025 年宣布研發出首台商用電子束光刻機「王羲之」，號稱精確度達 0.6 納米、線寬 8 納米，但主要應用於研發而非量產。
產業專家質疑制裁成效
Christophe Fouquet 直言，擁有 14 億人口的中國不可能接受在先進技術領域長期受制於人。他認為當前出口管制核心爭議並非「是否與中國脫鉤」，而是「西方希望中國落後到何種程度」。美國智庫戰略與國際研究中心（CSIS）於 2025 年 9 月發布評估報告，指中國開發電子束光刻系統確是「邁向國內研發的真正進步」，為頂尖研究機構提供不依賴進口的研發工具。
法國《世界報》2024 年 10 月分析指出，光刻技術雖是制約中國晶片產業核心難點，但中國已制定 2030 年為全球提供三分之一晶片產能的目標，透過聚焦成熟製程繞開先進技術制裁，同時激活內部產業鏈活力。PwC 預測全球半導體市場將於 2030 年突破 1 兆美元（約港幣 7.8 兆元），其中中國市場預計達 2,950 億美元（約港幣 23,010 億元），年複合增長率 7.36%。
Christophe Fouquet 總結，中國發展國產光刻機最大優勢在於龐大內需市場、完善資源體系與成熟基礎製造業。即使初期設備效能未如理想，國內產業鏈支持足以推動技術改良。美銀證券（Bank of America）於 2025 年 11 月將 ASML 評級上調至「買入」並提高目標價，視之為「2026 年半導體首選股」，但同時指出中國市場不確定性屬主要風險因素。
地緣政治重塑供應鏈
半導體產業正從全球化協作體系轉向「區域化安全供應鏈」模式。McKinsey 研究顯示，全球半導體企業計劃於 2030 年前投資約 1 兆美元（約港幣 7.8 兆元）建設新廠，國家安全考量已取代成本效益成為選址首要因素。美國計劃於 2032 年前將本土晶圓廠產能提升 203%，全球產能佔比從 10% 增至 14%。中國則透過第三期國家半導體產業投資基金（大基金三期）優先投入製造設備領域，承認光刻機仍是產業致命弱點。
ASML 於 2025 年 10 月警告，中國收緊稀土出口管制可能導致設備交付延遲數週，突顯供應鏈相互依賴的脆弱性。中國新規定要求外國企業即使少量出口也須獲政府批准並說明用途，特別針對半導體與 AI 技術所需關鍵礦物。此外，荷蘭電視節目 Nieuwsuur 於 2025 年 12 月 9 月報導，ASML 客戶中至少有一家與中國軍方有關聯，引發荷蘭政府啟動調查。
技術封鎖長期效應與企業抉擇
Christophe Fouquet 的警告反映西方科技企業面臨的兩難：短期透過出口管制維持技術領先，長期卻可能培養出強勁競爭對手。ASML 目前享有 EUV 光刻機絕對壟斷地位，全球 17 座美國在建或擴建半導體廠均需其設備。公司 2025 年第三季收入達 70 億歐元（約港幣 593.6 億元），訂單充裕，毛利率穩定。若中國在未來 5 至 10 年內如專家預測般實現技術追趕，ASML 將失去最大單一市場，同時面臨新興競爭者價格壓力。
台灣於 2025 年 9 月實施新半導體出口管制，要求企業向 Huawei、中芯國際等名單實體出口前須獲政府批准。多國協同制裁雖強化短期圍堵效果，卻可能如 Christophe Fouquet 所言，加速中國「被迫自主創新」進程。Christophe Fouquet 在訪談中特別強調會親自研究機器技術細節，認為技術知識對與客戶合作至關重要，這種對技術本質的尊重，或許也是其理解中國不會放棄自主研發的根源。
圍繞光刻機的地緣科技博弈，最終可能驗證一個古老智慧：過度封鎖往往催生最頑強突破。對企業領導者而言，關鍵問題不再是「是否限制技術擴散」，而是「如何在保護知識產權與維持市場准入之間找到可持續平衡點」。隨著中國國產 28 納米光刻機進入商用階段、全球晶片需求持續擴張，半導體供應鏈去全球化趨勢恐不可逆轉，企業必須為「技術多極化」時代制定新競爭策略。