國際投資銀行高盛最新研究報告指出，中國光刻裝置製造商在先進半導體技術方面，至少落後美國同行 20 年，這評估突顯了中國在實現半導體自主化道路上面臨的巨大挑戰。雖然中國政府投入大量資源發展本土半導體產業，但在最關鍵的光刻技術領域，與荷蘭 ASML 等國際領先企業的差距仍然懸殊。這份報告發布之際，正值美國對華半導體出口管制措施持續升級，而中國亦在加速推進「中國製造 2025」戰略下的半導體自主化過程。
技術差距懸殊，追趕之路漫長
高盛研究團隊在報告中詳細分析了中國光刻裝置產業的技術水平，發現中國本土製造商目前主要集中在 65 奈米製程階段，而 ASML 已經在 3 奈米以下技術領域建立了絕對優勢。根據高盛數據，ASML 耗費 20 年時間和 400 億美元（約港幣 3,120 億元）的研發與資本支出，才實現從 65 奈米到 3 奈米以下光刻技術的躍升。中國最大的光刻裝置製造商上海微電子裝備集團（SMEE）在 2023 年底聲稱成功開發 28 奈米光刻機 SSA/800-10W，這被視為重大突破，但分析師對其大規模量產能力提出質疑。業界專家指出，光刻技術除了涉及裝置製造，更需要全球化的供應鏈支援，包括來自美國和歐洲的核心零部件，這令中國在短期內實現技術突破面臨巨大挑戰。
出口管制重塑產業競爭格局
美國主導的多邊出口管制措施，正在深刻重塑全球半導體產業競爭格局，對中國企業造成了實質影響。自 2022 年 10 月起，美國政府禁止 ASML 向中國銷售最先進的極紫外（EUV）光刻機，迫使中芯國際等中國晶圓代工企業，只能使用較舊的深紫外（DUV）裝置生產 7 奈米晶片。雖則如此，中芯國際 2025 年上半年營收仍然增長 23.4%，產能利用率達到 92.5%，顯示出強勁的市場需求。華為作為中芯國際最大客戶，計劃在 2026 年將 7 奈米晶片產能提升一倍，以滿足其 AI 晶片 Ascend 系列的生產需求。然而分析機構 SemiAnalysis 的研究顯示，由於缺乏先進的封裝技術和高頻寬記憶體，華為的 AI 晶片產能擴張仍面臨瓶頸。
市場投資持續增長，自主化進程加速
雖然面臨技術和貿易挑戰，中國半導體產業的投資規模仍在穩步增長。高盛研究預測，中國半導體投資將從 2025 年的 430 億美元（約港幣 3,354 億元）增長至 2030 年的 460 億美元（約港幣 3,588 億元），年均增長率保持在 2% 至 6% 之間。投資重點將轉向記憶體、先進節點技術，以及能持續擴大規模並升級技術的行業領導者。在裝置自主化方面，中國企業正在加快追趕步伐。最新消息顯示，中芯國際已開始測試國產深紫外光刻裝置，以減少對 ASML 的依賴。中國半導體裝置製造商的國內市場佔有率，已從 2019 年的 4% 提升至 2023 年的 14%，在蝕刻、清洗、沉積等多個細分領域取得進展。雖然在最核心的光刻技術領域仍然落後，但中國企業正透過技術積累和市場應用逐步縮小差距。
全球產業鏈重構與競爭新態勢
當前全球半導體產業正經歷前所未有的重構過程，地緣政治因素與技術競爭交織，形成了複雜的競爭新態勢。ASML 作為全球光刻裝置的絕對領導者，2025 年 9 月宣布與法國 AI 公司 Mistral AI 建立戰略夥伴關係，投資 13 億歐元（約港幣 110.24 億元）加強在 AI 領域的佈局。此舉除了鞏固 ASML 的技術領先地位，也為其客戶提供更智能的製造解決方案。與此同時，台積電、Samsung 等晶圓代工巨頭在先進製程領域的競爭愈發激烈，台積電憑藉其在 2 奈米技術上的領先優勢，繼續擴大市場領先地位。
對於中國企業而言，這種全球競爭格局既帶來挑戰也創造機遇，特別是在特色工藝和成熟製程領域，中國企業有望發揮成本優勢和本土市場需求優勢，實現差異化競爭。高盛這份報告再次提醒業界，半導體技術發展需要長期積累和巨額投入，中國在實現半導體自主化的道路上仍需付出更多努力。然而隨著國內市場需求持續增長和政策支援力度加大，中國半導體產業有望在未來幾年內在特定領域實現突破。對於全球企業而言，如何在技術競爭與合作中找到平衡點，將成為未來發展的關鍵課題。